MOSFET和IGBT有什么不同之处

　  MOS晶体管是MOSFET，中文全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，称为金氧半场效应晶体管（gold oxygen half field effect transistor），是一种场效应晶体管可广泛用于模拟电路和数字电路。因为该FET的栅极由绝缘层隔离，所以也称为绝缘栅极FET。MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型；有四大类P沟耗尽型和增强型。

　　IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅FET）组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但传导压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有较小的驱动功率和降低的饱和电压。非常适用于直流电压600V及以上的变流器系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　MOSFET有多种类型，但与IGBT最可比的是功率MOSFET。它设计用于处理重要的功率级别。它们只在“开”或“关”状态下使用，这使它们成为使用最广泛的低压开关。与IGBT相比，功率MOSFET在低电压下工作时具有更快的换向速度和更高的效率。

　　更重要的是，它可以保持高阻断电压和高电流。这是因为大多数功率MOSFET结构是垂直的（不是平面的）。其额定电压是N外延层掺杂和厚度的直接函数，其额定电流与沟道宽度有关（沟道越宽，电流越高）。由于其效率，功率MOSFET被用于电源、DC/DC转换器和低压电机控制器。

　　MOSFET和IGBT绝缘栅双极大功率管和其他器件在源极和栅极之间具有绝缘硅结构，直流电流无法通过，因此低频行为驱动功率接近于零。然而，栅极电容器Cgs形成在栅极和源极之间，因此当高频交替接通和需要关断时，需要一定的动态驱动功率。

　　由于大的栅极电容Cgs，低功率MOSFET的Cgs通常在10-100pF之间，对于高功率绝缘栅极功率器件。通常在1-100nF之间，需要较大的动态驱动功率。此外，由于漏极到栅极的米勒电容Cdg，栅极驱动功率通常不可忽略。由于IGBT具有电流拖尾效应，因此在停机期间需要更好的抗扰性，并且需要负电压驱动。MOSFET比较快，可以在没有负电压的情况下关断，但当干扰严重时，负电压关断对提高可靠性非常有利。

　　MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源，IGBT专注于焊接、逆变器、逆变器、电镀电源、超级音频感应加热等领域。

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　　审核编辑：郭婷