实现大电流化的技术要点

ROHM于2012年3月份于全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发， ROHM继续扩充产品阵容，如今已经拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流范围100A～600A的全SiC模块产品。利用这些模块，可大幅提升普通同等额定电流IGBT模块应用的效率，并可进一步实现小型化。

封装的内部电感值大幅降低

电流额定较大的功率模块中，封装的寄生电感会导致开关时的浪涌电压非常大。要实现全SiC功率模块的大电流化，从最大限度地发挥SiC功率元器件的特点–高速开关性能的角度出发，也需要开发新型封装，以降低这种寄生电感值，从而抑制浪涌电压。

此次开发的G型新封装，通过优化内置SiC元器件的配置、布线图形及引脚结构等，使封装的内部电感值比以往封装降低了约23％，从而成功地使浪涌电压比以往封装降低27%，实现了额定电流400A和600A的全SiC功率模块产品。不仅如此，在同等浪涌电压条件下，利用新封装还可以降低24%的开关损耗。

封装的散热性能大幅提升

要实现600A的大电流产品，不仅需要降低内部电感值，还需要具备优异的散热性能。新产品通过提升对模块散热性能影响较大的基板部位的平坦性，使基板与外置散热器或冷却机构间的热阻降低了57%。

 

全SiC功率模块的产品阵容

 

BSM080D12P2C008	1200	-6 ~22	80	175	-40 ~125	2500	25	C type 45.6 × 122 × 17mm	–
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 ~22	180
BSM180D12P2E002	-6 ~22	180	13	E Type 62 × 152 × 17mm	○
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 ~22	400	10	G Type 62 × 152 × 17mm
BSM600D12P3G001	600
产品名称	绝对最大额定值	电感值 (nH)	封装	热敏电阻	内部电路图※
VDSS (V)	VGS (V)	ID(V) [Tc=60°C]	Tj max (°C)	Tstg (°C)	Visol(V) [AC 1min.]

 

※产品阵容中还包括斩波型产品。

审核编辑 黄宇