SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。

虽然SiC MOSFET比传统的Si MOSFET有很多优点，但其昂贵的价格却限制了SiC MOSFET的广泛应用。近年来随着SiC技术的成熟，SiC MOSFET的价格已经有了显著的下降，应用范围也进一步扩展，在不久的将来必将成为新一代主流的低损耗功率器件。

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

SiC MOSFET比导通电阻与击穿电压的平方呈正比。随阻断电压增大，特别是超过10kV的高压应用领域，SiC MOSFET器件导通电阻显著增大，为解决上述问题，研究的目光转向了IGBT器件，详见图1。

图2. SiC MOSFET/IGBT结构示意图

SiC IGBT由于电导调制效应，导通电阻显著减小，与SiC MOSFET器件相比具有明显优势。但碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结，结电压为2.6V，限制了其应用在10kV以下领域。在10kV以下，SiC MOSFET具有优势，其导通电阻小于SiC IGBT。而在10kV以上，SiC IGBT具有优势，其导通电阻小于SiC MOSFET。

图2. SiC IGBT结构示意图

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