前言
作为Si功率元器件评估篇的第2波,将开始一系列有关Si功率元器件通过PSFB电路进行“相移全桥电路的功率转换效率提升”的文章。
近年来,对于服务器和车载充电器等的电源,要求其能够处理更大功率的需求增加。这类大功率电源中大多采用全桥电路,尤其是相移全桥(Phase Shift Full Bridge,以下称“PSFB”)电路,因其能够在超结MOSFET(以下称“SJ MOSFET”)和IGBT等开关元件导通时实现零电压开关(Zero Voltage Switching,以下称“ZVS”)工作,可以减少开关损耗,故可以处理更大的功率。
伴随电源的大功率发展趋势,提高效率成为很大的课题。通常,即使效率相同,较大功率电源其损耗本身也会较大,因此需要尽可能高的效率。
本系列文章将通过在PSFB电路中使用SJ MOSFET时的电路工作,来说明快速恢复型SJ MOSFET的必要性。此外,还会对具有不同反向恢复特性的SJ MOSFET的效率进行比较,并了解在PSFB电路中反向恢复特性的重要性。
PSFB电路的基本结构
首先来看PSFB电路的基本结构。如果能对这种基本结构有整体印象,将会更容易理解后续的电路工作相关的内容。