SiC功率器件的封装形式

SiC芯片是一种半导体器件，它是由硅和碳组成的复合材料，具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。SiC芯片可以用于制造高功率、高效率的电子器件，如变压器、电源、电机、电抗器、晶体管等。

具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的工作温度局限在175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外，SiC器件还具有较高的热导率、高击穿电场强度、高饱和漂移速率、高热稳定性和化学惰性，其击穿电场强度比同类Si器件要高。

封装技术是指将电子元件封装在一个外壳中，以保护元件免受外界环境的损害，并使元件能够正常工作的技术。封装技术可以分为热封装技术和冷封装技术，其中热封装技术是将电子元件封装在一个热熔胶中，以保护元件免受外界环境的损害，而冷封装技术是将电子元件封装在一个塑料外壳中，以保护元件免受外界环境的损害。

SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数 （3.9ppm/℃）十分接近。焊接是把芯片与衬底贴合在一起的常用方法。使用软焊可以消除应力，却要以热疲劳和低强度为代价，而硬焊具有高强度却无法消除应力。瞬态液相键合技术要求使用一个扩散势垒，以防止Si3N4衬底上的铜金属化层与用来键合SiC芯片的Au层之间的互扩散，这种技术还可用于高温下的芯片粘接。

SiC功率器件的封装技术主要有TO-247、TO-220、D2PAK、IPAK、SIP、DIP、SMD等封装形式。

TO-247封装是最常用的封装形式，具有良好的散热性能，可以满足大功率应用的要求。

D2PAK封装是一种体积小、重量轻的封装形式，可以满足高功率应用的要求。

IPAK封装是一种体积小、重量轻的封装形式，可以满足高功率应用的要求。

SIP封装是一种体积小、重量轻的封装形式，可以满足高功率应用的要求。

DIP封装是一种体积小、重量轻的封装形式，可以满足高功率应用的要求。

SMD封装是一种体积小、重量轻的封装形式，可以满足高功率应用的要求。