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基于单片机控制IGBT的应用怎么实现

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.38 MB | 2023-02-22

郑成枝

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随着电力电子技术进一步向高频的大功率用电领域发展，电子器件也一直是沿着提高频率和提高功率这两方面努力向前发展的，曾经用作电力开关的半导体器件有晶闸管，场控晶闸管(FCT),门极可关断晶闸管(GT0),双极型晶体管(BJT),结型场效应管(JFET),功率双极型品体管(GTR)和功率MOSFET等。 其中GTR和功率MOSFET是较新的功率半导体开关器件，但是它们仍然不能兼顾高频率和高功率。GT℉容
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