关于IGBT与MOSFET的不同

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点是热稳定性好、安全工作区大，缺点是击穿电压低，工作电流小。

它是在一块硅片上制作两个相距很近的PN结，然后让电流从其中一边流入另一边流出而形成电压输出信号；当外加正、反向脉冲时则因在两电极之间产生电势差而使两边电位发生变化而产生控制作用，从而实现对信号的放大与调制等处理功能。

由于这种特殊的结构使得它在高频电路中得到了广泛的应用。例如：开关功率级中的Pwm控制器就是由 MOS管构成的。另外，随着集成度的提高及的进步，目前已有许多新型的 MOS管应用于各种数字集成电路中如CMOS门阵列芯片等等。

IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor ） 缘栅双极型晶体管是电力电子技术发展过程中出现的一种新型场效应晶体管制成的二极管组态元件。其特点是工作频率高、体积小、重量轻、可靠性好等特点，因而得到迅速发展和广泛应用，成为继 PN 结之后又一重要的大规模实用化的电子元器件之一 。

IGBT与MOSFET的主要区别有：

1.结构不同：IGBT是由N沟道MOSFET和PN结构组成的，而MOSFET只有N沟道MOSFET；

2.功率密度不同：IGBT的功率密度比MOSFET高；

3.损耗不同：IGBT的损耗比MOSFET低；

4.可靠性不同：IGBT的可靠性比MOSFET高。

原理不同：

1） IGCT 的工作原理是将输入交流电源变换成直流或低频脉动高压，再经过整流滤波后变成可调节的高频低压大电流，经逆导通回路将高频高压变为低阻抗的恒定电流输送到负载端。它的主要优点是效率高、损耗小、速度快且稳定可靠等优点。

2） MOSFET的工作过程则是利用基区产生的漏源电场来推动沟道导电层进行载流子迁移并发生复合的现象来实现开通/关断的功能。