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车规级IGBT市场规模现状及发展潜力分析
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2023-02-23
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IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可以被认为是由MOSFET和BJT（双极性三极管）混合形成的器件，但比 MOSFET制作更困难和复杂，耐压范围更大。一般MOSFET器件或模块的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的 高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。 根据英飞凌的技术，IGBT的发展可划分为三个阶段。第一阶段是第一代和第二代IGBT所代表的平面栅极型IGBT。由于功率器 件产品不追求制程，所以这类产品仍然畅销，但第一代产品已经基本被淘汰。第二阶段是第三代和第四代IGBT所代表的沟槽 栅极型IGBT。这种类型的产品通过创新的沟槽设计大大减少了IGBT的体积和功耗，并得到了广泛的应用。在这个阶段，出现 了第五代和第六代IGBT，这属于沟槽格栅类型的改进，结构没有太大变化。此外，第3阶段过渡产品TrenchStop也出现在这个 阶段。第三阶段是2018年后出现的微凹槽IGBT，大大降低了器件的体积和功耗。
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