IGBT/功率器件
IGBT,InsulatedGateBipolarTransistor,是一种复合全控电压驱动功率半导体器件由BJT(双极晶体管)和IGFET(绝缘栅场效应晶体管)组成。它兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR的饱和电压降低,载流密度大,但驱动电流更大。MOSFET的驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT结合了以上两种器件的优点,驱动功率小,饱和电压降低。非常适合用于直流电压600V及以上的变流系统,如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极晶体管)和FWD(续流二极管)通过特定的电路桥封装而成的模块化半导体产品。封装后的IGBT模块直接应用于逆变器、UPS不间断电源等设备。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。一般IGBT也指IGBT模块。随着节能环保等理念的推进,此类产品将在市场上越来越普遍。IGBT是能量转换和传输的核心器件,俗称电力电子器件的“CPU”,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。
IGBT的特性
1、静态 VI 特性
下图显示了 n 沟道 IGBT 的静态 VI 特性以及标有参数的电路图,该图与 BJT 的图相似,只是图中保持恒定的参数是 VGE,因为 IGBT 是电压控制器件,而 BJT 是电流控制器件。
IGBT的静态特性图
当 IGBT 处于关闭模式时(VCE为正且 VGE 《 VGET),反向电压被 J 2 阻断,当它被反向偏置时,即 VCE为负,J 1 阻断电压。
2、开关特性
IGBT 是电压控制器件,因此它只需要一个很小的电压到栅极即可保持导通状态。
由于是单向器件, IGBT 只能在从集电极到发射极的正向切换电流。IGBT的典型开关电路如下所示,栅极电压 VG施加到栅极引脚以从电源电压 V+ 切换电机 (M)。电阻 Rs 大致用于限制通过电机的电流。
IGBT的典型开关电路图
下图显示了IGBT 的典型开关特性。
IGBT 的典型开关特性
导通时间( t on):通常由延迟时间 (t dn ) 和上升时间 (t r ) 两部分组成。
延迟时间 (t dn ):定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC(最终集电极电流)和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。
上升时间 (t r ):定义为集电极电流从 0.1 IC上升到 IC以及集电极-发射极电压从 0.9V CE下降到 0.1 VCE的时间。
关断时间( t off):由三个部分组成,延迟时间 (t df )、初始下降时间 (t f1 ) 和最终下降时间 (t f2 )。
延迟时间 (t df ):定义为集电极电流从 I C下降到 0.9 I C并且 V CE开始上升的时间。
初始下降时间 (t f1 ):是集电极电流从 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集电极发射极电压上升到 0.1 V CE的时间。
最终下降时间 (t f2 ):定义为集电极电流从 0.2 I C下降到 0.1 I C并且 0.1V CE上升到最终值 V CE的时间。
关断时间公式
导通时间公式
3、输入特性
下图可以理解IGBT的输入特性。开始,当没有电压施加到栅极引脚时,IGBT 处于关闭状态,没有电流流过集电极引脚。
当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时,IGBT 开始导通,集电极电流 I G开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加,如下图所示。
IGBT的输入特性图
4、输出特性
由于 IGBT 的工作依赖于电压,因此只需要在栅极端子上提供极少量的电压即可保持导通。
IGBT 与双极功率晶体管相反,双极功率晶体管需要在基极区域有连续的基极电流流动以保持饱和。IGBT 是单向器件,这意味着它只能在“正向”(从集电极到发射极)开关。
IGBT 与具有双向电流切换过程的 MOS 管正好相反。MOS管正向可控,反向电压不受控制。
在动态条件下,当 IGBT 关闭时, 可能会经历闩锁电流,当连续导通状态驱动电流似乎超过临界值时,这就是闩锁电流。
此外,当栅极-发射极电压低于阈值电压时,会有少量漏电流流过 IGBT ,此时,集电极-发射极电压几乎等于电源电压,因此,四层器件 IGBT 工作在截止区。
IGBT 的输出特性图
开IGBT 的输出特性分为三个阶段:
第一阶段:当栅极电压 VGE 为零时,IGBT 处于关断状态,这称为截止区。
第二阶段:当 VGE 增加时,如果它小于阈值电压,那么会有很小的漏电流流过 IGBT ,但I GBT 仍然处于截止区。
第三阶段:当 VGE增加到超过阈值电压时,IGBT 进入有源区,电流开始流过 IGBT 。如下图所示,电流将随着电压 VGE的增加而增加。
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