MOS 管为什么要并联个二极管？

　　MOS管并联的二极管，此二极管叫寄生二极管。

　　寄生二极管的由来是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。

　　1、mos管寄生二极管，作用是防止VCC过压的情况下，烧坏mos管。

　　2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管。

　　3、 防止静电烧坏MOS管

　　mos管源极和漏极的区别

　　MOSFET是一种三端器件，其三个电极分别是栅极、漏极和源极。在MOSFET中，栅极可以控制漏极和源极之间的电流流动。下面是MOSFET源极和漏极的区别：

　　漏极：MOSFET的漏极是输出端，也是承受负载电流的地方。当栅极和源极之间施加电压时，漏极和源极之间的电流将被激活。

　　源极：MOSFET的源极是输入端，也是承受控制电压的地方。当栅极和源极之间施加电压时，它将控制漏极和源极之间的电流，从而控制MOSFET的输出。

　　MOSFET的源极和漏极之间的电阻和电压可能会不同。当MOSFET处于开关状态时，源极和漏极之间的电阻非常小，而当MOSFET处于关闭状态时，源极和漏极之间的电阻非常大。

　　指代不同

　　1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

　　2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

　　原理不同

　　1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

　　2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

　　特点不同

　　1、源极：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点

　　2、漏极：可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。  

　　总之，MOSFET的源极和漏极分别承担着不同的功能，源极是输入端，用于控制漏极和源极之间的电流，而漏极是输出端，用于承受负载电流。在实际应用中，需要根据具体的电路需求选择合适的MOSFET，并合理设计电路来充分利用MOSFET的特性。

　　文章综合知乎、CSDN、ChatGPT、南山扫地僧