高性能电流模式PWM控制器ME8133介绍

描述

Microne

ME8133是一款高性能,高效率电流模式PWM控制器,内封650V/4A功率MOSFET,功率最高可达30W(220VAC)。芯片具有uA级别的启动电流和极低的待机功耗。ME8133通过启动电阻启动,芯片VDD供电电压最高可达80V,适用于宽电压输出的应用场合,70kHz的最高频率且带有峰值电流抖动和抖频功能,优化了EMI性能,有助于后期EMI整改。

芯片有绿色节能模式,空载功耗<75mW。同时芯片拥有完善的保护功能,如逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、欠压锁定(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)等。

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ME8133产品特点

低启动电流,待机功耗<75mW。

VDD宽供电范围(9.6~80V)。

频率抖动和峰值电流抖动,更好的EMI性能。

内置谐波补偿,集成自恢复保护模式和其他多种保护模式。

应用场合:充电器和适配器,PD快充,开放式电源等。

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ME8133典型应用图

MOSFET

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ME8133工作模式

MOSFET

上图所示为系统峰值电流和频率随FB引脚电压变化的曲线,ME8133具有多种模式的工作模式:即Burst模式、DPWM模式、PFM模式、PWM模式。系统会根据负载的情况进入不同的工作模式,相比于单一的PWM或者PFM而言,在全负载的范围内效率会得到进一步的优化。

MOSFET

整机高低压在18W输出功率的情况下效率最高可以达到89.4%。

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ME8133温度测试

MOSFET

ME8133工作时的温度较低,可以做到较小的体积。高输入电压,45℃的环境温度条件下,整机可以做到30W的输出功率。






审核编辑:刘清

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