Diodes推出工业级碳化硅DMWS120H100SM4 N

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Diodes公司(Diodes) (Nasdaq:DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车(EV) 电池充电器等应用,对更高效率与更高功率密度的需求。

DMWS120H100SM4 在高电压(1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作,同时维持低导热性 (RθJC = 0.6°C/W),非常适合用于在恶劣环境中运作的应用。这款 MOSFET 的RDS(ON) (典型值) 很低,仅 80mΩ (对于15V 的闸极驱动),能将传导耗损降至最低,并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅 52nC,可减少开关耗损与降低封装温度。

本产品是市场上首款采用 TO247-4 封装的碳化硅 MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到 MOSFET 的源极,以优化切换效能,达到更高的功率密度。

编辑:黄飞

 

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