模拟技术
对于SPICE建模,原计划一个器件一个器件的分析,但不知何时可以兑现,那就先用这一篇把PSpice中用到的各种建模方法全部介绍完吧,这样不管哪种器件,我们都有思路和方法了。
为何要建模
在PSpice A/D中内建了很多常用的电子元器件符号及其对应的模型,但是在实际电路设计中,元器件库中恰好没有合适的元器件,而且这种情况非常经常,软件库文件中的元器件都是常规的,一旦是新的芯片,在自带库中基本上都找不到。
于是,原本信誓旦旦半天就可以完成的电路设计,却因为找不到模型,只好搁置了~~~所以原理图仿真在学会使用软件之后,最大的困境就是器件找不到模型。⊙﹏⊙∥
今天在这里把目前最常用的建模方法和步骤给大家做介绍,遇到器件没有模型时总会有办法解决~~
01
编辑和修改已有的模型
找不到器件模型很常见,但也不需要一找不到模型就想着建模(自己有强迫症或是领导有强迫症的除外),在遇到库中没有找到模型时,我们可以考虑选用相近的型号器件代替,或者对模型库中已有的器件进行编辑,对主要的参数进行修改以满足仿真的要求。
样例
某方波发生器电路,稳压管D1N4465的稳压值是10.05V。如果设计输出的方波需要限幅为8V,那么我们可以直接修改D1N4465的模型参数。
步骤:1、点中稳压管D1N4465,右键在快捷菜单中选择执行Edit PSpice Model命令,这时系统会打开Model Edtor工具,你慢慢等待就可以~~
2、进入PSpice的Model Editor模块后,我们能看到这个稳压管的模型文件内容,找到我们最关注的参数Bv(PN节的反向击穿电压),将其参数值改为8.0。然后保存设置。(这时不要担心会把自带库中的1N4465的管子参数给修改了,软件只会把这个修改过参数的器件另存在这个工程文件的目录下)
3、关闭Model Editor软件,直接运行原工程文件。从输出波形可以看出,我们修改成功了。
02
从IC厂家网站上下载Spice模型建模
如果你的电路中有这几年新出现的元器件,那大概率都不可能有模型。但如果你的器件是一些半导体大厂商生产的,比如德州仪器(TI)、亚德诺(ADI)、英飞凌等,那可以直接到其官网上搜索,很大概率上能找得到。
譬如:
只要将其下载即可。
样例
比如从TI的网站上下载OPA2132的PSpice模型文件:OPA2132.mod。由于PSpice识别的库文件后缀名是.lib,所以直接将后缀名修改为lib,得到OPA2132.lib文件。【注:有时下载得到的是.cir或是.txt的,都可以直接修改后缀名】
步骤一:双击*.lib文件,打开Model Editor工具
步骤二、为模型配置一个.olb文件
执行菜单栏中File→Export to Capture Part library,设置完毕后点击OK。
步骤三、为模型选择合适的外形
继续执行File→Model Import Wizard[Capture],按照下图的步骤,为该模型选择合适的外形。点击“Save Symbol”,关闭对话框后建模就完成了。
这样,在在保存的目录下就可以看到如下两个文件:
那就已经跟软件自带库的装备一样了,也就预示器件的SPICE建模已经完成。剩下就是如何调用和测试喽
步骤四、在使用新模型的工程中添加入库文件
在新建的工程原理图窗口下调用新建的器件的.olb文件,画出如下的二阶滤波器的电路,在设置仿真分析方法时,选择交流分析。
在运行仿真之前还需要有如下操作:
执行PSpice→Simulation Settings,按照下图标记的顺序,将前面建好的.lib文件添加进工程。
这样,就可以点击运行,顺利得到仿真结果了。
03
使用软件自带的建模APP创建模型
在这手机APP流行的时代,一个功能强大的仿真软件自然也得跟上潮流。这个宝藏APP藏在Capture的菜单栏中:Place->PSpice Component->Modeling Application
点击打开,就可以看到这里包含了很多种现在使用比较多的器件,比如大功率MOSFET,瞬态电压抑制器、稳压管、独立电源等
下面是其中几个的建模界面,可以看出,这里只要根据器件的数据手册数据输入到相应编辑框内就可以了,算是非常直观的建模方式了。Cadence公司也在每次版本更新时增加种类。
样例
某型号为LQM18P_B0的一款高频电感,由Murata Electronics公司生产,在官网上找到数据手册,里面有如下的参数数据:
由于自带库中没有这个型号,如果只用常规的电感模型,又无法体现它的性能。这时就选用Modeling App中的Inductor,打开之后,将上图中的重要参数填写到相应的编辑框内
点击上图的Place就完成了这个高频电感的建模。
04
拟合特性曲线方式建模
PSpice提供一个专门建模的工具Model Edtor,在Cadence软件中可以找到,前面第二种方法中我们其实也见到过了。只是那是系统自动打开,这次需要自己找到后打开
Model Editor工具提供了十几种元件:Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、Voltage Comparator、Voltage Reference、Darlington Transistor,这些都可以通过输入特性曲线来建立元件的PSpice Model。
这种方法的样例可以参看之前推送过的
晶体三极管的SPICE模型构建
在晶体三极管建模里有详细的步骤,这里就不赘述了,大家记得点击蓝字哦ฅʕ•̫͡•ʔฅ
05
打包子电路建模
Model Editor工具和Modeling App都是有局限性的,都只有固定类型的器件才可以使用。而子电路形式是所有元器件都可以使用的建模方式。也是我们见到的几乎所有的模拟集成芯片所使用的建模方式。不信,你随便选择一个集成芯片的模型,右键看它的模型文件,都可以看到第一行几乎都是以.SUBCKT 开头的。这就是子电路形式建模。第二种方法中我们下载的运放模型就是子电路方式建模。
子电路的语句描述是:
.SUBCKT
……
.END
这里以构建一个MOSFET的子电路,来说明这种建模方式的步骤
样例
某射频功率MOSFET晶体管DE150-201N09A,数据手册中没有提供详细的特性曲线,但它提供了SPICE模型电路,如下图。它属于SPICE三极模型的扩展,里面包括了三个杂散电感LG、LS和LD;图中的RD相当于器件的导通电阻RDS(on);Rds是电阻性漏电项;晶体管的输出电容Coss和反向传输电容CRSS由反向偏置二极管建模,为器件提供变容二极管响应。Ron和Roff用于调整晶体管的开启延迟和关闭延迟。
数据手册中提供的模型电路
步骤一、在原理图设计工具Capture中绘制电路图,并生成网表(netlist)
在原理图绘制工具Capture中绘制原理图,得到如下图的电路。
绘图区内绘制子电路
图中MOS管和二极管均选用BREAKOUT库中的器件,并对其参数进行设置。
.MODEL MNOS NMOS (LEVEL=3 VTO=3.0KP=2.7)
.MODEL D1 D (IS=.5F CJO=1P BV=100M=.5 VJ=.6 TT=1N)
.MODEL D2 D (IS=.5F CJO=1100PBV=500 M=.5 VJ=.6 TT=1N RS=10M)
.MODEL D3 D (IS=.5F CJO=300PBV=500 M=.3 VJ=.4 TT=400N RS=10M)
然后在工程界面下,选择tools/Create Netlist,得到下图所示对话框,利用软件直接生成网表。
网表设置完成后,系统会自动生成网表文件,后缀名为.lib。
通过给定的路径,我们可以在文件夹下找到刚刚生成的.lib文件
这其实就是该MOSFET的模型文件了。接下来从步骤二到步骤四跟第二种方法是完全一样的哦,再来回顾一遍吧ฅʕ•̫͡•ʔฅ
步骤二、为模型配置一个.olb文件
在工程目录下找到lib文件,双击后,系统调用PSpice Model Editor工具,将此model 加入元件库中:File→Export to capture Part library,获得.olb文件。
步骤三、为模型选择合适的外形
在Model Editor工具中继续执行File→Model Import Wizard [capture],为该模型选择合适的外形。此处模型可以采用系统默认的,后面在原理图中进行修改,也可以直接从元件库中找到可以兼容的直接应用。如下图所示的步骤进行。保存符号后,关闭Model Editor。
这样,在工程文件夹下就可以看到如下两个文件:
这预示器件的SPICE建模已经完成。
对于很多器件,其实内部的子电路并不容易获得,这时可以选用PSpice的ABM(Analog Behavioral Modeling)库中的器件。
比如我们知道某稳压器的内部框图
那我们可以按照子电路建模的步骤一,在Capture中画出实现该框图行为关系的电路模型
上图红框中的都是ABM库的器件。后面找时间专门推一期说ABM库哦,大家别急~~今天主要是熟悉建模的步骤。
然后根据步骤二和步骤三,得到该稳压器的外观。
这样也就大功告成了。
结束语
器件建模是电路仿真过程中最艰难的步骤之一,它不仅要求对器件的物理及电特性有深入了解,还要求拥有丰富的特定电路的应用知识。但是器件的建模问题决不是不能解决的,利用器件的Datesheet的信息,可以给器件建立一个初步模型。为了获得电路建模的最佳结果,遵从“使用尽可能简单的模型”。
另外还有几点:
1 不要使模型比实际需要的更复杂,哪怕一点也不行,过度复杂的模型只会使它运行的更慢,出错的可能性更大;
2 建模本身就是一种妥协的做法;
3 不要害怕将电路分开成各部分单独测试,需要时可以独立运行和跟踪调试子电路;
4 对功率器件使用ABM建模时要小心,它可能在一个工作点上运行正确,但其他工作点可能产生不精确的结果
最后,最重要的是要知道自己在做什么。^_^
编辑:黄飞
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