EUV光源四种产生方式及对比分析

中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。

　　随着光刻技术的进步，光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm （分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线），所制造的集成电路特征尺寸为600nm或更大。从1995年以后，工业。上采用深紫外波段的248nm KrF激光器或193nm ArF激光器作为光刻用曝光光源。

　　随后通过改进的193nm浸没式***获得了65nm-45nm刻线，目前最高水平的光刻技术是193nm的浸没式光刻和双重图形成像技术的结合，可以实现32nm节点的制造。而极紫外光刻技术（EUVL）采用中心波长为13.5nm（2%带宽）的极紫外光作为曝光光源，被认为是实现32nm节点甚至更低节点首选的光刻的技术。

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

编辑：黄飞