华灿光电半导体实验室提供从芯片设计到封装的一站式代工服务

随着全球宏观环境的逐步恢复，SiC/GaN等第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，值此之际，TrendForce集邦咨询于6月15日在在深圳举办了“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”，汇聚了海内外第三代半导体先进企业代表，以及科研院校和媒体界的众多菁英，共同探讨第三代半导体产业的现状，展望未来。华灿光电作为氮化镓领域的创新引领者，应邀出席了本次大会并发表了专题演讲。现场座无虚席，与会者热情高涨，映射了第三代半导体领域的繁荣景象。

 

出席本次大会的是华灿光电股份有限公司氮化镓电力电子研发总监邱绍谚博士，他代表华灿光电进行了主旨为“GaN 功率器件创新应用市场前景分析”的专题分享。他首先介绍道，在手机、计算机的带动下，GaN快充市场发挥出巨大的市场营销能力，尤其以65W-100W为主流。2023年，随着更多厂商的积极投入，GaN的市场关注度进一步提高，带动了3C电源、数据中心、电动汽车、光伏储能等相关厂家的验证使用。

 

随后他指出，GaN目前也处于发展的萌芽期，仍面临同质衬底生长、可靠性不佳等技术问题，限制了生产良率和商用化发展。其中，GaN器件特性由外延结构决定，器件的可靠性则与材料质量紧密相关。目前，GaN衬底仍在开发中，市场上尚未有成熟的GaN衬底，只能使用硅和蓝宝石等异质接面衬底，而这些导致了GaN器件特性不佳。

 

而自2020年进入GaN电力电子领域以来，华灿光电依托其在LED芯片在GaN材料和器件领域的积累，积极展开技术研究与产品开发。在自有外延方面，华灿光电于2022年启动了6英寸蓝宝石衬底研发，初步完成650V GaN-on-Si for D-mode＆E-mode的外延片研发和流片。在器件方面，完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN HEMT和demo board出样。

 

最后，邱博士还同与会来宾介绍了华灿光电未来的发展路线。按照计划，华灿光电的GaN产品将逐步从650V向900V，再到1200V的路径发展，并会规划低压产品以扩充产品线。

在场外搭建的华灿光电展台，也同样吸引了众多客户同仁的驻足咨询。现场气氛热烈，宾客络绎不绝，大家都对华灿光电此次展出的样品流露出认可和兴趣。

 

作为国内氮化镓领域创新引领者，华灿光电已经积累大量的专利技术和制造经验。未来，华灿光电将继续深耕第三代半导体技术领域的研发，并依托华灿光电浙江第三代半导体实验室和氮化镓研究院，将提供从芯片设计到封装的一站式代工服务，扩大能效半径和生态链，赋能更多的终端应用市场。
        责任编辑：彭菁