基于N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法

　　在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。

　　在这种分立式双向开关电路中，使用背靠背连接的N-香奈儿MOSFET。这种方法需要一个外部驱动器电路，以促进从A到B和反向的双向功率传导。

　　肖特基二极管BA159用于多路复用来自A和B的电源，以激活电荷泵电路，以便电荷泵能够为N沟道MOSFET产生必要的导通电压。

　　

　　电荷泵可以使用标准倍压器电路或小型升压开关电路构建。

　　3.3 V用于为电荷泵提供最佳电源，而肖特基二极管直接从相应的输入（A/B）获得栅极电压，即使输入电源低至6

V。然后，MOSFET栅极的电荷ump使该6 V电压加倍。

　　较低的 N 沟道 MOSFET 用于根据所需规格控制双向开关的 ON/OFF 开关。

　　与前面讨论的P沟道相比，使用N沟道MOSFET的唯一缺点是这些额外的元件可能会占用PCB上的额外空间。然而，MOSFET的低R（on）和高效率传导以及低成本的小尺寸MOSFET抵消了这一缺点。

　　也就是说，这种设计也不能提供任何有效的过热保护，因此可以考虑将超大尺寸器件用于高功率应用。