全芯时代单通道低侧GaN驱动器

全芯时代，国产好芯不定期推荐。今日为大家介绍一款国产单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器。

一、概述

该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。

该芯片可实现2ns的极快传播延迟和1ns的最小脉冲宽度，提供7A拉电流、5A灌电流峰值驱动电流的能力。

该芯片通过栅极与OUTH和OUTL之间连接的外部电阻来独立调节驱动强度，提供过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO)和过温保护(OTP)。

二、主要性能

1. 工作频率高达60MHz

2. 1ns最小输入脉冲宽度

3. 7A峰值拉电流和5A峰值灌电流

4. 典型上升和下降时间250ps

5. 传播延迟：典型值2ns

6. 5V电源电压

7. UVLO和OTP

8. 0.84mm×1.24mm WLCSP-6B封装

三、应用场景

1. 激光雷达

2.飞行时间激光驱动器

3. 面部识别

4. E类无线充电器

5. VHF谐振电源转换器

6. 基于GaN的同步整流器

7. 增强现实

编辑：黄飞