国芯思辰 |N沟道MOSFET YC30D2519K可满足筋膜枪的性能要求

筋膜枪的流行反映出了人们对于健康品质生活的追求；目前市面上的筋膜枪大致构造普遍都大同小异，一般是通过电容触控电路、PWM信号控制、集成功率MOS等架构组成。主要区别在于产品材料的选择和器件控制精度上的优劣，如技术规范标准不统一，内部器件与电机不合要求等，缺乏安全保护机制的产品很容易对人体安全产生危害。

 

国芯思辰某客户在设计一款筋膜枪选择场效应管时，最终选择了优晶推出的N沟道MOSFET，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在各种线路中。它具有低功耗的特点，并扩宽了电压范围，能够为其他关键配件提供稳定的电压。

优晶YC30D2519K具有以下特点：

1、采用沟槽型功率中压MOSFET技术，VDS耐压可以达到30V，ID可以达到25A，对于低压设计留有足够的余量。

2、采用高密度单元设计，RDS(on) 低至8.5mΩ，极低的导通电阻，可以减少开关损耗。

3、工作结温和存储温度范围在-55℃-175℃之间，有较强的环境温度适应性，可以适用于低温或者高温的环境。

4、采用TO-252-4L小尺寸封装，具有较强的散热能力。

 

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