选择强茂P沟道低压MOSFET，简化您的车用电路设计

选择强茂最新的P沟道MOSFET有效简化您的车用设计电路并提升性能。强茂车用P沟道MOSFET设计有效降低RDS(ON)，以利最小化传导损失，确保最佳功率和效率，同时最大化雪崩耐受能力和空间利用率。

通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。

使用强茂先进P沟道MOSFET升级您的汽车设计，简化、优化并提升电路性能！