MOSFET选型原则，mosfet选型要考虑哪些因素

MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。

MOSFET选型原则

1、是N-MOS还是P-MOS：N-MOS性价比高

（1）从电路结构上看，低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS；

（2）从成本和便利性上看，N沟道MOSFET选择的型号多，物料成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，物料成本高；

（3）从性能上看，NMOS导通电阻小，发热量更低，允许通过的电流大，应用场景也更广泛，正激，反激、推挽、半桥、全桥等拓扑电路都能应用。

2、选取封装类型：SMT器件生产效率高

（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求，基本原则就是在保证MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的型号；

（2）系统的结构尺寸限制；

（3）功耗或散热方面的需求；

（4）生产、装配、维修的效率和便利性。

3、选取耐压BVdss：预留足够的余量

（1）产品的额定电压是固定的，MOSFET的耐压选取也就比较容易，由于BVdss具有正温度系数，在实际的应用中要结合这些因素综合考虑。

（2）VDS中的最高尖峰电压如果大于BVdss，即便这个尖峰脉冲电压的持续只有几个或几十个ns，MOSFET管也会进入雪崩击穿状态而发生损坏。

（3）因此MOSFET管的雪崩电压通常发生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持续的时间通常都是μs、甚至ms级，因此在选择BVdss时需要留有足够的余量。

4、选取Id电流：预留足够的余量

（1）Id电流代表MOSFET能流过的最大电流，反映带负载能力，超过这个值可能会因为超负荷导致MOSFET损坏。

（2）Id电流参数选择时，需要考虑连续工作电流和电涌带来的尖峰电流，确保MOSFET能够承受最大的电流值。

（3）Id电流具有负温度系数，电流值会随着结温度升高而降低，因此应用时需要考虑的其在高温时的Id值能否符合要求。

5、选取栅极阈值电压Vth：需结合电路需求选择

（1）Vth是指当源极与漏极之间有指定电流时，栅极使用的电压；

（2）Vth具有负温度系数，选择参数时需要考虑。

（3）不同电子系统选取MOSFET管的阈值电压Vth并不相同，需要根据系统的驱动电压，选取合适阈值电压的MOSFET管。

（4）阈值电压越高抗干扰性能越强，可以减少尖峰脉冲造成的电路误触发。

6、选取导通电阻Rds（on）：越低越好

（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。

（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds（on）电阻值会随着电流增大轻微上升，因此选择时需要留有余量。

（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比较高，可以通过优化驱动电路，改进散热等方式，选用Rds（on）较大一些的的低成本器件。

7、选取寄生电容/栅电荷：Ciss、Coss、Crss；Qg、Qgd、Qoss：越小越好

（1）影响开关性能参数，最重要的是Ciss、Coss和Crss的电容，这些电容在工作时重复充放电产生开关损耗，导致MOSFET开关速度下降，效率降低。

（2）栅电荷反映存储在端子间的电荷，在开关电路工作时，电容上的电荷会随着电压变化，因此设计栅极驱动电路时需要考虑栅极电荷的影响。

8、热设计：按照最坏情况来设计

（1）确保MOSFET工作在开关状态，关注封装的半导体结与环境之间的热阻，以及最高的结温。

（2）设计人员需充分考虑最坏情况和真实情况，建议采用针对最坏情况的计算结果，确保系统不会失效。

（3）如果系统允许，尽量加大散热器尺寸和选用更好的散热方式，提升系统工作稳定性。

9、其他：

MOSFET选型时还需要关注开关时间（ton、toff）、内部寄生二极管、低频跨导gm等参数。

mosfet选型要考虑哪些因素

1.根据应用环境决定可预知的参数，比如Vds-peak；Id（MAX）;Tamba；Rθj-a等参数。

2.选定V（BR）DSS；按照原则来说，V（BR）DSS约等于110%*Vds-peak。

3.选定ID；ID约等于（300%~500%）*ID（max）。

4.选择Ron，Qg，Rth大者（这个要结合成本考虑选择，在低成本可选择的条件下，选择大者）。

5.计算PD，这个要根据应用环境及上述选定的参数来进行计算。

6.计算耗散功耗约束：PD（max）

7.核算总PD是否符合功耗约束，如果PD相对于PD（max）太小或者太大都不可行，都要从第3部重新开始选择；如PD与PD（max）基本接近，那么我们的初级选型就算是通过了。