碳化硅MOSFET芯片取得新突破！

近日，岳麓山大科城第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目——《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技术研究》取得重要研发突破，芯片综合性能赶上国际先进水平，部分指标实现领先。

早在2022年4月，大科城发布第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目，该项目由浏阳泰科天润半导体技术有限公司（以下简称“泰科天润”）发榜，湖南大学和东莞天域半导体股份有限公司共同揭榜，聚焦新一代半导体产业链“卡链处”进行技术攻关。

作为发起单位，大科城对本次核心技术攻关“揭榜挂帅”项目予以单个项目最高300万元的资金补助，同时在项目实施、科研攻关、产业落地等方面进行全程跟踪帮扶，提供政策支持。

项目实施一年多来，针对本课题难点——碳化硅（SiC）MOSFET芯片研究部分，湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心教授王俊、副研究员梁世维等科研人员在研发过程中，打破了国外专利壁垒，发明了“场板型分裂栅SiC MOSFET”。泰科天润则突破了高质量栅氧、表面钝化、高温变能多次离子注入等工艺难点，在成熟的6英寸碳化硅生产线完成了新型SiC MOSFET工程样品的研制工作，泰科天润的工程团队展现了深厚的碳化硅工艺能力，批次流片的一致性和稳定性得到了各专家的一致认可，为量产打下坚实的基础。

“经电学特性测试后，相应数据与国际SiC龙头企业美国科锐公司同类芯片产品的导通电阻相当。”王俊介绍，由于引入了场板分离型的分裂栅结构，芯片具有更低的反向传输电容，高频优值接近国外先进水平，较之传统平面栅结构器件指标数值明显改善。

在实测中，研究人员还发现本批次芯片开关性能有所提升，关断损耗较国外龙头企业同类产品低17%，将有效提升电能变换效率。以新能源汽车行业为例，这一领先优势将帮助提升电动汽车的续航里程。

泰科天润项目经理俞伟告诉记者，此次项目整体进度领先预期时效，研发课题组将继续深化合作，持续优化提升SiC 器件性能，提高制备工艺的稳定性，争取尽快实现相关产品的稳定量产和产业化应用，进一步提升湖南在第三代半导体产业领域的影响力，助力长沙打造全球功率半导体研发中心城市。

 编辑：黄飞