新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

描述

 

MOSFET

 

增强型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半桥模块,采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC,并有使用预涂的热界面材料(TIM)版本。

 

产品型号:

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低热阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM版本

 

 

产品特点

1200V CoolSiC MOSFET

Easy1B封装

Best-in-class 12毫米高度模块封装

非常低的模块寄生电感

RBSOA反向工作安全区宽

栅极驱动电压窗口大

PressFIT引脚

两个阻值型号都有带有热界面材料版本

 

应用价值

扩展了栅源电压最大值:+23V和-10V

在过载条件下,Tvjop最高可达175°C

最佳的性价比,可降低系统成本

可工作在高开关频率,并改善对冷却要求

 

竞争优势

引入新的M1H增强型1代芯片系列模块,Best-in-class 1200V Easy1B模块

采用英飞凌WBG材料,达到功率和效率的新水平

紧跟市场的新趋势,支持多种目标应用

 

应用领域

电机控制和驱动

不间断电源(UPS)

电动汽车充电

光伏系统的解决方案

储能系统

 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分