氧化镓材料生长与阵列探测器研究

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，南京邮电大学张茂林带来了“氧化镓材料生长与阵列探测器研究”的主题报告，其研究主要方向为重点开展宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)晶体的制备与器件物理方面的研究；优化晶体质量，赶超国际水平，发展相关器件的系统应用。

报告分享了薄膜CVD生长以及阵列探测器与应用的研究进展与成果。详细介绍了氧化镓晶体薄膜MOCVD生长/衬底制备，LSPR增强Pt/Ga2O3复合薄膜光响应，PECVD生长Ga2O3薄膜，Mist-CVD 生长α相Ga2O3薄膜，Ga2O3基日盲紫外探测阵列器件（4×4），16单元Ga2O3矩形阵列，晶圆Ga2O3阵列探测器的紫外成像，晶圆Ga2O3阵列探测器的紫外通讯，自供电Ga2O3基肖特基光电二极管阵列等研究内容。

研究基于现有设备技术改进PECVD、Mist-CVD生长Ga2O3薄膜；利用LSPR增强Pt/Ga2O3复合薄膜光响应，提高了探测器性能；不断扩大Ga2O3阵列探测器规模，分别对MSM结构阵列和肖特基阵列展开了研究；从紫外成像和通讯方面出发，拓展了Ga2O3阵列探测器应用范围。

据介绍，南邮氧化镓半导体创新中心(IC-GAO)科研团队，2014年实现Ga2O3外延生长，研制第一支GAO基日盲紫外探测器原型器件，发表第1篇学术论文。2016年Ga2O3已经成为北邮活跃的科研主题之一。2017年获得2英寸高质量外延，研制出第一只日盲紫外探测阵列器件，成为氧化镓领域的最活跃的研究组，成立北京镓族科技有限公司迈上产业化实践之路。

2018年承担北京市科委重点研发计划，突破3英寸晶体和外延技术。突破2-4英寸单晶生长和外延技术。小批量供应2英寸单晶衬底及外延片。实现16×16光电探测器件阵列化。2023年度完成A轮融资6500万元，估值2.5亿元。

审核编辑：刘清