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氧化镓
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第四代半导体“氧化镓（Ga2O3）”材料的详解
2025-09-24
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电流密度1 kA/cm²，二极管耐压比SiC大3倍！氧化镓器件商业化！
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2025-09-06
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氧化镓破局！江苏拓能半导体科技有限公司工业电机驱动系统著作权落地，解锁高效节能新范式
2025-09-05
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氧化镓功率器件动态可靠性测试方案
2025-07-11
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氧化镓射频器件研究进展
2025-06-11
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氧化镓器件的研究现状和应用前景
2025-04-29
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我国首发8英寸氧化镓单晶，半导体产业迎新突破！
2025-03-07
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氧化镓衬底表面粗糙度和三维形貌，优可测白光干涉仪检测时长缩短至秒级！
2025-02-08
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2025-02-18
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第四代半导体新进展：4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
原创
2025-02-17
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镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂
2025-02-14
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关于超宽禁带氧化镓晶相异质结的新研究
2025-01-22
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半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
2025-01-02
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2024-11-13
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