车规碳化硅功率肖特基二极管简述

在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强的耐高温及散热能力等优于传统硅基器件的先进特性，越来越多地在新能源汽车中得到应用，尤其是在高效率OBC(车载充电机)和HV-LV DC-DC变换器中迅速推广。

SiC SBD(Schottky Barrier Diode) 

SiC SBD属于宽带隙第三代半导体，材料本身拥有极低的反向恢复电荷Qrr，用于高频开关电路可显著降低二极管本身和相邻开关器件的开关损耗，应用中可以使用更高的开关频率，有利于提升效率，减小散热器和感性元件体积，从而降低系统体积、重量和成本。

SiC SBD替换传统硅二极管的优势在于仅对现有产品电路结构做极小的改动即可实现产品性能的优化，快速对应市场需求。 

目前，瑞能车规级650V SiC SBD产品系列已完全量产，电流规格覆盖10A-40A主流应用，结合瑞能创新工艺VF低至1.26V，该系列产品均已通过AECQ-101车规产品认证

本次推出的瑞能车规级650V SiC SBD产品系列在 EV/HEV 上的主要应用为电源变换器（车载DC/DC）、OBC（车载充电机）。应用电路常见于Vienna变换器，PFC续流管，二次侧整流桥等场合，有极为广阔的应用空间。

典型OBC应用电路

车规级650V SiC SBD产品系列

代表产品一览

WNSC6D10650BT2-A

VF@25℃=1.26 V

IF=10 A

Ir@25℃=1 μA

Qr@25℃=24 nC

EAS@25℃=60 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D10650-A

VF@25℃=1.26 V

IF=10 A

Ir@25℃=1 μA

Qr@25℃=24 nC

EAS@25℃=60 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D20650W-A

VF@25℃=1.26 V

IF=20 A

Ir@25℃=2 μA

Qr@25℃=48 nC

EAS@25℃=150 mJ

TJ=175 ℃

WNSC6D40650CW-A

VF@25℃=1.26 V

IF=2*20 A

Ir@25℃=2 μA

Qr@25℃=48 nC

EAS@25℃=150 mJ

TJ=175 ℃

审核编辑：汤梓红