芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

半导体产业网获悉：近日，芯塔电子正式发布自主研发的1700V/5Ω SiC MOSFET产品。此举进一步丰富了公司SiC产品系列，也是芯塔电子在宽禁带半导体功率器件国产化方面的又一关键里程碑。

据悉，该产品针对高端汽车级应用而开发，击穿电压达到2300V，18V驱动下Rdson的典型值5Ω，15V驱动下典型值为7Ω。产品在开发过程中，研发团队通过改进MOS可靠性，提高了器件的阈值电压，并做了很多优化设计和余量设计，使之更能胜任新能源汽车领域的应用需求。同时，产品具有更小的芯片尺寸，可以有效帮助客户减少成本。

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET电性能参数

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐压简化了应用电路，提升了应用方案的可靠性，大幅降低了系统成本。同时，SiC MOSFET极小漏电流让客户大幅度提升应用性能。得益于芯塔电子国产化供应链保障，产品的成本及供货更具优势和竞争力，目前已获多家客户订单。

芯塔电子1700V 5Ω SiC MOSFET产品典型应用电路

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。同时，该产品也为公司光耦继电器合作商迈向800V高端新能源汽车市场提供强大赋能和支持。

电池绝缘检测

融资方面，今年6月，芯塔电子完成近亿元Pre-A轮融资。该轮融资由吴兴产投领投，兴产财通、禾创致远、丛蓉智芯、苏纳微新跟投。据悉，本轮资金将主要用于车规级碳化硅功率模块产线的建设、加速产品研发、提升产能及加强供应链保障等。

项目方面，据芯塔电子创始人兼CEO倪炜江透露，芯塔电子车规级碳化硅模块产线已经在浙江湖州完成落地，将于2023年底前完成通线。新建的模块封装线将紧密结合新能源汽车对新型SiC MOSFET模块的需求，公司已与战略合作的整车厂以及T1厂商达成了产品合作的意向，产品量产后立刻进行完整的上车测试与整车验证。上述融资资金也将重点运用于产线建设。

芯塔电子是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，坚持以自主创新为核心，致力于先进半导体功率器件的国产化。公司拥有业界资深技术团队，创始人倪炜江博士是中国第三代半导体功率器件研发和量产的先驱者之一。核心团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及界知名公司，具有深厚的产品研发能力和产业化经验。

芯塔电子团队深耕宽禁带功率半导体领域多年，已从人才储备、技术研发、平台建设、供应链保障、质量管控等方面做好全方位战略布局，始终瞄准国际技术最前沿，以提供国际一流的国产化碳化硅功率芯片为己任，助力实现国家“双碳”战略的宏伟目标。芯塔电子凭借自己综合实力，已经成功进入国内第一梯队碳化硅供应商。

编辑：黄飞