MOS场效应管的基础知识

基础知识

结型场效应管栅极反偏但仍有电流，MOS场效应管栅极绝缘，没有电流。

结型场效应管（JFET）的输入电阻一般可达10e6 ～10e9 Ω，这个电阻从本质上来说是PN结的反向电阻，由于PN结在反向偏置时总会有一定量的反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。与JFET不同，MOS场效应管的栅极处于不导电（绝缘）状态，它是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件，所以输入电阻可大为提高，最高可达10e15Ω。

MOS场效应管是以二氧化硅为绝缘层的金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称为MOSFET。MOSFET的栅极与沟道之间由绝缘层隔离，输入电阻比JFET高得多。此外，MOSFET因集成工艺简单，集成密度很大，而成为现代超大规模集成电路的主角。

  MOSFET有增强型（E型）和耗尽型（D型）两类，其中每一类又有N沟道和P沟道之分：  

  由于反型层属于电子导电型半导体层[N]，而漏区和源区也是N型半导体，因此，反型层与漏区和源区之间不再有PN结势垒，而形成导电沟道。

工作原理

 

 

  大信号特征方程

 

  小信号模型

 

 

 

 

 

 

 

  场效应管与双极性管的比较

 

审核编辑：汤梓红