高可靠峰值电流PWM控制芯片，完美替换284X

芯片亮点

VDD耐压高：芯片VDD耐压大于40V，高于海外竞品10V以上；

工作频率可调：芯片振荡器工作频率由外围电阻RRT、电容CCT所设定，频率可达500kHz；

驱动能力强：芯片采用大电流图腾柱式输出驱动，提供±1A的峰值输出驱动能力，应用场景更广泛；

运放内部集成：芯片内部集成了高增益，低输出阻抗的误差放大器。可通过内部运放实现闭环反馈；

芯片系列化：芯片按照启动电压阈值、最大占空比、以及工作电流大小进行区分，推出多个版本，适配不同需求；

应用灵活：芯片内部逻辑简单，可灵活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等诸多电路拓扑，还可作为PWM发生器来使用；

AP8262X系列版本区分

高可靠性

Chipown工业辅源系列芯片全部通过工业级JEDEC可靠性严苛认证。

问题一

芯片工作频率是如何产生的？

AP8262X系列芯片内部集成振荡器电路，工作频率由外围电阻RT、电容CT充放电时间所决定，频率可达500kHz。

AP8262振荡器工作示意图

在一个脉冲周期里，芯片基准源VREF通过电阻RRT给电容CCT充电，VRT/CT上升到内部设定电压上限VRT/CT_H时，振荡器电路控制内部电流源对CCT以恒流Idisc放电，VRT/CT放电至内部设定电压下限VRT/CT_L时，泄放电路关闭，CCT重新充电，开启新一周期。

AP8262 RT/CT引脚波形示意图

可参考以下简化公式来设计RRT 、CCT：

问题二

RRT电阻阻值与CCT电容容值可以

随意选取吗？

理论上RRT 、CCT 大小可以随意选取，但实际应用中RRT 、CCT存在一个合理的选择范围。

RRT太小会使得给CCT充电电流较大，当充电电流超过内部放电电流时，CCT无法放电，振荡器停止工作；

当RRT选好后，CCT太小会使得三角波下降沿时间较短。若三角波下降沿时间小于芯片内部延时与驱动下降沿时间，则驱动将出现异常；

在确定的频率下，RRT或CCT一方选择太大，则会使得另一方太小；

因此综合考虑，RRT推荐值5kΩ~100kΩ，CCT推荐值1nF~100nF。

问题三

不同版本AP8262X系列芯片

VDDon、VDDoff阈值不同，

该如何选择？

对于带辅助绕组供电的拓扑，建议选择阈值迟滞电压大的版本，确保在辅助绕组建立供电之前芯片VDD不会降到VDDoff以下（见典型应用一）；

对于输入电压较低的DC-DC应用，可选择迟滞电压小的版本，输入电压直接给VDD供电（见典型应用二） ；

对于输入电压较高或输入电压范围宽的DC-DC应用，建议外接辅源供电或在输入和VDD之间再接一级稳压电路。

AP8262  UVLO功能示意图

问题四

芯片如何实现系统闭环反馈？

AP8262X系列芯片内部集成了高增益，低输出阻抗的误差放大器。放大器同相端接入芯片内部2.5V基准，引出反相端FB和输出端COMP方便进行环路配置与调整。

芯片实现稳压反馈具有两种方式，一种是使用外部的误差放大器，如TL431，误差放大器的输出反馈到芯片的COMP脚，实现闭环反馈；另一种是将输出电压分压反馈到芯片FB脚，通过芯片内部误差放大器产生误差反馈，即COMP脚电压，来实现闭环反馈；

AP8262  反馈方式一

AP8262  反馈方式二

AP8262X系列芯片最大的特点就是使用灵活，工程师们可以通过搭建外围电路来实现所需辅助功能。

01

软启动电路

软启动会使得启动阶段最大峰值电流限制逐步的提高，可以大大减小器件的应力。

芯片上电时，COMP脚内部恒流源通过二极管D1给电容C充电，COMP脚电压随电容C电压逐步升高，从而使得脉冲电流逐步增大来实现软启动功能。二极管D2在系统下电时通过芯片内部阻抗给C放电，使得再次上电时软启动功能正常。

AP8262软启动电路

02

斜坡补偿电路

峰值电流控制模式在CCM工况下占空比高于50%时，会出现次谐波振荡，需要斜坡补偿电路使得扰动逐步缩小。

将AP8262的RT/CT脚电压通过一射极跟随器电路，叠加到CS管脚电流采样信号上，等效于对电流波形扰动添加了斜坡抑制，从而使得系统稳定，斜坡补偿量通过RSLOPE电阻来调节。

AP8262斜坡补偿电路

03

快速关断电路

在需要快速关断的场合，可以将芯片COMP脚电压下拉到2VF以下（两个二极管压降），或将CS管脚电压上拉至高电平来快速关断芯片输出。

这里提供了一种快速关断电路，当给Q2基极施加一个高电平，通过两个三极管的配合使COMP脚电压下拉并保持该状态。

AP8262快速关断电路

AP8262X系列芯片简单易用，可灵活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等诸多电路拓扑，还可作为PWM发生器来使用。以下推荐两型典型应用电路。

典型应用一：离线应用，隔离反激拓扑，采用外部误差放大器（TL431）进行反馈。供电采用辅助绕组供电。

AP8262 应用于原副边隔离反激系统

典型应用二：DC-DC应用，Boost升压拓扑，采用内部误差放大器进行反馈（反馈接FB引脚），输入电压直接供电。

AP8262 应用于Boost升压系统

应用要点

VDD和VREF电容CVDD和CVREF放在距离VDD、VREF管脚和GND管脚最近的地方；使用内部误差放大器时，为了减小管脚对地寄生电容对于稳定性的不良影响，反馈网络尽量靠近FB管脚，减小走线长度和面积。

振荡器频率设置电阻RRT、电容 CCT取值在推荐范围之内，RRT推荐值为5kΩ~100kΩ，CCT推荐值为1nF~100nF 。RRT、CCT到芯片管脚的连接尽量短，少外部干扰；CCT接地需要接到芯片地，接功率地会带来不稳定干扰；

CS脚建议增加RC滤波器，提高抗干扰性，其截止频率应大于10倍开关频率。RCSF推荐值为1kΩ，CCSF推荐值为300pF 。

启动电阻RSTART（反激系统）的选取除了满足启动电流要求外，还需要综合考虑启动时间以及电阻上损耗；

电阻RBLEEDER可以避免欠压锁定期间芯片漏电流使得MOSFET误开通，推荐值10kΩ；

审核编辑：刘清