功率半导体器件 氧化镓市场正在稳步扩大

2023年8月28日，矢野研究所公布了SiC（碳化硅）等宽带隙（WBG）半导体单晶全球市场调查结果。

调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。

2023年全球市场（基于制造商出货值）预计将达到268.85亿日元，比上年预测值182.71亿日元增长47.1%。按材料划分，2023年SiC市场规模为202.93亿日元（成分比例为75.5%）、GaN为46.47亿日元（17.3%）、Ga2O3（氧化镓）为5.31亿日元、10.8亿日元（4.0%）%），AlN（4.0%），金刚石 3.35 亿日元（1.2%）。SiC越来越多地被应用于太阳能发电设备和汽车等许多应用中，预计将占据四分之三的市场份额。

调查显示，SiC市场已进入全面成长期，2025年后汽车应用采用将是快速增长的关键点。GaN越来越多地应用于LED和LD等照明应用，在功率器件和高频应用中具有优异的特性，GaN器件的部署时机即将到来。

与SiC器件相比， Ga2O3具有更高的成本和性能潜力，因此进入市场的玩家数量正在增加，据说它在功率器件市场中势头强劲。AlN作为深紫外LED单晶已获得一定程度的需求，但使用蓝宝石基板的深紫外LED的性能正在提高，因此我们将扩展到可以发挥AlN基板优势的领域。 

该研究所将加速钻石研发视为 2023 年的热门话题。晶圆厂商IPO（首次公开募股）和联合研究成果不断增加，材料和器件的开发不断取得进展。截至2023年，Aubrey（原Adamant Namiki Precision Jewel）即将开始供应直径为2英寸的金刚石晶圆，Okuma Diamond Device正准备批量生产使用金刚石的电子设备。该研究所表示，金刚石的市场拓展必须安装在小众、高附加值的设备上，并满足其他材料无法满足的需求。

主要受功率器件应用的推动，宽带隙半导体单晶的全球市场预计到 2030 年将达到 3,176.12 亿日元。按材料分，SiC为3073.48亿日元、GaN为52.8亿日元、Ga2O3为30.56亿日元、AlN为13.5亿日元、金刚石为5.78亿日元。按材质划分，SiC占96.8%，可见宽禁带半导体中SiC市场的增长预测非常高。

编辑：黄飞