先进封装厂关于Bump尺寸的管控

Bump Metrology system—BOKI_1000

在半导体行业中，Bump、RDL、TSV、Wafer合称先进封装的四要素，其中Bump起着界面互联和应力缓冲的作用。

Bump是一种金属凸点，从倒装焊FlipChip出现就开始普遍应用，Bump的形状有多种，常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状，下图所示为各种类型的Bump。

Bump起着界面之间的电气互联和应力缓冲的作用，从Bondwire工艺发展到FlipChip工艺的过程中，Bump起到了至关重要的作用。随着工艺技术的发展，Bump的尺寸也变得越来越小,从最初 Standard FlipChip的100um发展到现在最小的5um。

伴随着工艺技术的高速发展，对于Bump的量测要求也不断提高，需要把控长宽尺寸，高度均匀性，亚纳米级粗糙度、三维形貌等指标。

以粗糙度指标为例，电镀工艺后的Cu 凸点表面粗糙并存在一定的高度差，所以键合前需要对其表面进行平坦化处理，如化学机械抛光(CMP)，使得键合时Cu 表面能够充分接触，实现原子扩散，由此可见把控Bump表面粗糙度是必不可缺的过程。

为了贴合工艺制程，积极响应客户Bump 计量需求，中图仪器以高精度、多功能合一等优势将自研量测设备推向众多半导体客户。BOKI_1000系统支持键合、减薄、翘曲和切割后的基板，可以为包括切割后、预键合、铜焊盘图案化、铜柱、凸块（Bump）、硅通孔（TSV）和再分布层（RDL）在内的特征提供优异的量测能力。