MEMS及功率半导体的特色工艺晶圆代工与模组封装集成

技术前沿：MEMS及功率半导体的特色工艺晶圆代工与模组封装集成

工艺平台涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组，以及车载、工业、消费类传感器，应用领域覆盖智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G通信、物联网、家用电器等行业。

（1）MEMS

MEMS是集成了微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件等于一体的微型器件或系统，具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化等优点，广泛应用于高新技术产业。MEMS制造的核心是将传统的机械部件微型化后，通过三维堆叠技术把器件组合并固定在硅晶圆上，制造过程无固定标准化生产工艺流程，通常会根据不同的应用场合采用特殊定制，每种产品都有独特的制造工艺和专属的封装形式，因此产品的工艺技术实现难度较高。

共性关键技术包括体硅和表面硅工艺能力，标准化成套制造工艺高精度膜层沉积/生长、高强度键合技术、高兼容度的敏感元件低温工艺、无损集成器件的MEMS牺牲层释放技术等。

MEMS产品主要可以分为MEMS传感器和MEMS执行器。其中传感器是用于探测和检测物理、化学、生物等现象和信号的器件，而执行器是用于实现机械运动、力和扭矩等行为的器件。MEMS产品结构如下：

         

①MEMS麦克风传感器

MEMS麦克风传感器是基于MEMS技术制造的麦克风，它采用表贴工艺进行制造，具有更好的噪声消除性能。

②惯性传感器

惯性传感器是对物理运动做出反应的器件，如线性位移或角度旋转，并将这种反应转换成电信号，通过电子电路进行放大和处理。

③射频器件

射频器件主要用于手机和通信基站，它能够将射频信号和数字信号进行转化，来实现通信功能。

④压力传感器

压力传感器通常由压力敏感元件和信号处理单元组成。按不同的测试压力类型，压力传感器可分为绝压式和差压式两种。

（1）MEMS传感器

传感器是物体实现感知功能的主力，其应用已渗透进各行各业，如工业自动化、汽车电子、消费电子、资源开发、环境监测、医疗诊断、交通运输等。传感器通常由传感器模块、微控制器模块、无线通信模块以及电源管理模块四个部分构成。传感器感知状态数据，微控制器存储和处理数据，无线通信模块接收微控制器模块处理的数据之后再通过网络传输到远端的数据采集平台。MEMS技术是将微米级的敏感组件、信号处理器、数据处理装置封装在一块芯片上，再利用硅基微纳加工工艺进行批量制造，从而形成了MEMS传感器，广泛应用于汽车电子、消费电子、工业、医疗、航空航天、通信等领域。根据Yole统计，2020年全球MEMS传感器市场规模为90亿美元，预计2026年市场规模将达到128亿美元，2020-2026年均复合增长率为6.1%。消费电子、汽车电子和工业控制是应用MEMS最多的三个下游板块，也是近年最大的增长点。

（2）MEMS射频器件

MEMS射频器件（RFMEMS）是MEMS技术的重要应用领域之一。MEMS射频器件用于射频和微波频率电路中的信号处理，是一项将能对现有雷达和通讯中射频结构产生重大影响的技术。随着信息时代的来临，在无线通信领域，特别是在移动通信和卫星通信领域，正迫切需要一些低功耗、超小型化且能与信号处理电路集成的新型器件，并希望能覆盖包括微波、毫米波和亚毫米波在内的宽频波段。而通讯系统中仍有大量不可或缺的片外分立元件，例如电感、可变电容、滤波器、耦合器、移相器、开关阵列等，成为限制系统尺寸进一步缩小的瓶颈。MEMS技术的出现有望解决这个难题。采用MEMS技术制造的无源器件能够直接和有源电路集成在同一芯片内，实现射频系统的片内高集成，消除由片外分立元件带来的寄生损耗，真正做到系统的高内聚、低耦合，能显著提高系统的性能。

MEMS技术在射频领域的应用可分为可动的和固定的两类。可动的MEMS器件包括开关、调谐器和可变电容，固定的MEMS器件包括本体微机械加工传输线、耦合器和滤波器。其中，滤波器是射频前端的关键核心器件之一，约占整个射频前端市场超过60%的份额。根据Yole统计，2020年MEMS射频器件的市场规模为21亿美元，预计2026年市场规模将达到40亿美元。

（2）功率器件

功率器件是指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，具体用途是电能变换和控制，如变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等，主要包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等产品。

根据功率器件的可控性可以将功率器件分为三类，第一类是全控型器件，以IGBT和MOSFET等器件为主，是带有控制端的三端器件；第二类是半控型器件，主要是晶闸管及其派生器件，这类器件的开通可控而关断不可控；第三类是不可控型器件，主要是二极管，二极管的通断都不能通过器件本身进行控制。从应用范围来看，MOSFET和IGBT适用范围最广，二者市场规模之和占整体功率器件的一半以上。功率器件各项参数对比情况如下：

（1）IGBT

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），即绝缘栅双极型晶体管，是能源变换与传输的核心器件。其主要作用是进行交流电和直流电的转换、高低电压的转换，能够提高用电效率和质量、降低碳排放和解决能源短缺问题，有效助力碳中和。在清洁能源发电及利用领域，IGBT是光伏逆变器和风电逆变器的核心器件，且广泛应用于新能源车电驱系统及充电桩；在传统能源的消耗端，lGBT在工业上应用于变频器，能够降低设备能耗，帮助实现节能减排。

IGBT工艺平台包括沟槽型场截止IGBT、车载IGBT、高压IGBT等。完整的工艺能力，包括深沟槽刻蚀、超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面对准、质子注入、局部载流子寿命控制、嵌入式传感器、多元化金属层、高性能介质层、高低温CP测试等。应用于智能电网、新能源汽车、充电桩、风力发电、光伏储能、家电、变频器、UPS、焊机、感应加热等领域。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，可以应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

因此，从小家电、数码产品，到航空航天、高铁领域，再到新能源汽车、智能电网等新兴应用都会大量使用IGBT。

IGBT分为IGBT芯片和IGBT模块，其中IGBT模块是由IGBT芯片封装而来，具有参数优秀、最高电压高、引线电感小的特点，常用于大电流和大电压环境，是IGBT最常见的应用形式。

根据Yole统计，2020年全球IGBT市场规模为54亿美元，预计2026年市场规模将达到84亿美元，2020-2026年均复合增长率为7.6%。具体情况如下

（2）MOSFET

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种多子导电的单极型电压控制器件。其主要作为模拟放大元件和电子开关，优点为工作频率高、驱动简单、驱动功率小、抗击穿性好。

从低压到高压的MOSFET工艺平台，包括沟槽型MOSFET、屏蔽栅沟槽型MOSFET、超结MOSFET等。关键工艺技术包括超薄晶圆加工、氢注入、超结产品外延生长等。MOSFET产品具有导通电阻小、开关速度快、开关损耗低等特点，产品应用覆盖工业物联网、汽车电子、消费电子、无线通讯、电网输变电、新能源应用等领域。

MOSFET全称金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET的优点在于稳定性好，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，适用于AC/DC开关电源、DC/DC转换器。MOSFET下游的应用领域中，消费电子、汽车电子、工业控制、医疗、国防和航空航天、通信占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。

在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电制动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，拥有广泛的应用市场及发展前景。

MOSFET是功率器件的最大市场，根据Yole统计，2020年全球MOSFET市市场规模为76亿美元，预计2026年市场规模将达到95亿美元，2020-2026年均复合增长率为3.8%。具体情况如下：

工艺流程

1、晶圆代工

晶圆代工是指借助载有电路信息的光掩模，经过光刻和刻蚀等工艺流程的多次循环，逐层集成，并经离子注入、退火、扩散、化学气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。晶圆代工的主要工艺流程如下：

（1）晶圆清洗

晶圆清洗是指通过将晶圆沉浸在不同的清洗药剂内或通过喷头将调配好的清洗液药剂喷射于晶圆表面进行清洗，再通过超纯水进行二次清洗，以去除晶圆表面的杂质颗粒和残留物，确保后续工艺步骤的准确进行。

（2）光刻

光刻的主要环节包括涂胶、曝光和显影，具体如下：

①涂胶

涂胶是指通过旋转晶圆的方式在晶圆上形成一层光刻胶。

②曝光

曝光是指先将光掩模上的图形与晶圆上的图形对准，然后用特定的光照射。光能激活光刻胶中的光敏成分，从而将光掩模上的电路图形转移到光刻胶上。

③显影

显影是用显影液溶解曝光后光刻胶中的可溶解部分，将光掩模上的图形准确地用晶圆上的光刻胶图形显现出来。

（3）刻蚀

刻蚀是指未被光刻胶覆盖的材料被选择性去除的过程，主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀主要利用等离子体对特定物质进行刻蚀，湿法刻蚀主要通过液态化学品对特定物质进行刻蚀。

（4）离子注入、退火

离子注入是指将硼、磷、砷等离子束加速到一定能量，然后注入晶圆材料的表层内，以改变材料表层物质特性的工艺。退火是指将晶圆放置于较高温度的环境中，使得晶圆表面或内部的微观结构发生变化，以达到特定性能的工艺。

（5）扩散

扩散是指在高温环境下通过让杂质离子从较高浓度区域向较低浓度区域的转移，在晶圆内掺入一定量的杂质离子，改变和控制晶圆内杂质的类型、浓度和分布，从而改变晶圆表面的电导率。

（6）化学气相沉积

化学气相沉积是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下在衬底表面上进行化学反应，生成的固态物质沉积在晶圆表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。

（7）化学机械研磨

化学机械研磨是指同时利用机械力的摩擦原理及化学反应，借助研磨颗粒，以机械摩擦的方式，将物质从晶圆表面逐层剥离以实现晶圆表面的平坦化。

（8）晶圆（加工后）检测

晶圆检测是指用探针对生产加工完成后的晶圆产品上的集成电路或半导体元器件功能进行测试，验证是否符合产品规格。

（9）包装

包装是指对检测通过的生产加工完成后的晶圆进行真空包装。

2、模组封测

封装是指将芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，并通过印制板与其他器件建立连接，起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用。模组封测的主要工艺流程如下：

（1）晶圆减薄

晶圆减薄是指减少晶圆背面一定区域的厚度，并且在晶圆边缘保留一定厚度，这样既保证了晶圆厚度的要求，同时增加了晶圆的整体强度。

（2）晶圆背金属

晶圆背金属是指在晶圆的背面镀上金属以便与装片胶进行接合。

（3）划片

划片是指将整片晶圆按照大小分割成单一的芯片。

（4）贴片

贴片是指通过取放装置将芯片从划片后的晶圆上取下，放置在对应的框架或基板上的过程。

（5）键合

键合是使用金属线（片）连接芯片与框架或基板的工艺技术，实现芯片与框架或基板间的电气互连、芯片散热以及芯片间的信息互通功能。

（6）塑封

塑封是指利用环氧膜塑料，在相应的模具上通过高温、高压把键合好的产品包封起来，用以隔绝湿气与外在环境的污染，以达到保护芯片的目的。

（7）电镀

电镀是指在含有某种金属离子的电解质溶液中，将待镀件作为阴极，通过一定波形的低压直流电，使得金属离子不断在阴极沉积为金属薄层的加工过程。

（8）打印

打印也称为打标，是指在半导体器件的表面上进行标记。

（9）切筋成形

切筋成形是指切除引线框架上连接引脚的横筋及边筋，并将引脚弯成一定的形状，以适合后期装配的需要。

（10）测试

测试是指根据半导体器件的类型，就其功能及特点进行的电性能测试，来确保器件性能及可靠性。

（11）包装

包装是指对性能测试通过的产品进行包装。

MEMS行业的新技术发展情况与趋势

A.产品尺寸微型化

基于MEMS传感器下游的电子消费行业对器件尺寸小型化、低功耗化的需求，MEMS传感器生产商需要不断提升自己的技术水准，尽量缩小成品尺寸，使得自己的产品更加具有竞争力。为了实现这个目标，MEMS传感器生产厂商利用系统封装等技术将IC芯片和被动元器件进行整合，进一步缩小了传感器芯片的尺寸。

与此同时，在单片晶圆上所能产出的芯片数量也随芯片尺寸的减小而增多，MEMS传感器芯片的成本也能够得到有效降低。然而，MEMS制造工艺也并非一味追求更小的尺寸与更高的集成度，而是更加注重材料的结构机械特性、材质化学特性以及刻蚀深度、精度、应力控制等每一步工艺的准确实现。通过革新技术，在保障产品高性能的同时缩小产品尺寸和降低功耗是MEMS传感器行业的重要发展方向。

B.多传感器集成

随着设备智能化程度的不断提升，单设备中含传感器数量不断增多，多传感器的协同合作变得尤为重要。传感器集成化程度的提高，提升了信号识别与收集的效果，也提高了智能设备的集成化程度。

近年来，在惯性传感器领域，出现了融合加速度计、陀螺仪、GPS等多功能的惯性导航系统，在消费电子和汽车电子领域的应用越来越广泛。智能手机中的MEMS麦克风数量不断增加，通过麦克风阵列中多个麦克风的协同工作，能够根据不同位置的麦克风之间的延迟和功率差异对声源进行更精确的定位，并对噪声进行滤除，实现主动降噪和增强信号的功能，有效提升了麦克风的信噪比。

C.多元场景应用

MEMS传感器目前已经广泛运用于消费电子、汽车电子、工业控制、医疗、国防和航空航天、通信等各个领域，随着人工智能和物联网技术的发展，MEMS传感器的应用场景将更加多元。

MEMS传感器是人工智能重要的底层硬件之一，传感器收集的数据越丰富和精准，人工智能的功能才会越完善。物联网生态系统的核心是传感、连接和计算，随着联网节点的不断增长，对智能传感器数量和智能化程度的要求也不断提升。未来，智能家居、工业互联网、车联网、智能城市等新产业领域都将为MEMS传感器行业带来更广阔的市场空间。

MEMS行业的新产业发展情况

A.新消费电子

可穿戴设备与智能音箱为代表的新消费电子的兴起正在推动MEMS又一轮高速成长。除了智能手机、平板电脑和笔记本电脑等主流消费电子产品外，近年来涌现出的智能家居和可穿戴设备等新兴应用领域也广泛使用了MEMS传感器产品，如智能手表安装了MEMS加速度计、陀螺仪、微型麦克风和脉搏传感器，TWS耳机中使用了MEMS麦克风、压感、骨传导等传感器，VR/AR设备采用MEMS加速度计、陀螺仪和磁传感器来精确测定头部转动的速度、角度和距离等。

B.车用传感器和自动驾驶

随着汽车智能化的发展趋势和汽车安全要求标准的提高，MEMS传感器在汽车上的应用也越来越广泛，汽车传感器已经成为MEMS传感器的一个主要的应用市场，超声波传感器、激光雷达传感器、微波传感器、红外传感器等也都被广泛使用。尤其是在自动驾驶领域，MEMS传感器将扮演越来越重要的角色。一般家用型汽车实现自动驾驶需要数十个传感器来感知周围环境的实时情况，大型商用车以及其他特种车辆需要的传感器数目会更多，精度会更高。未来车用传感器行业以及自动驾驶行业将是MEMS传感器应用增长较快的领域之一。

C.物联网

随着物联网技术的不断发展，MEMS产品作为信息获取和交互的关键器件，市场空间将不断扩大，新的应用场景亦层出不穷。在物联网的结构中，感知层处于最底层，是物联网的先行技术，也是其数据来源和物理实体基础，而感知层中分布的各类传感器就是获取信息的关键，传感器及其芯片提供商在物联网产业链中扮演了重要角色。

D.人工智能

在人工智能领域，MEMS传感器承担了类似人体的各项感官功能，是未来人工智能领域不可或缺的组成部分。伴随着人工智能的市场规模扩大，相应MEMS传感需求也将同步提升。

功率器件行业的新技术发展情况与趋势

A.模块化、集成化的技术发展趋势

随着功率器件应用场景不断拓展，下游产品对其电能转换效率、稳定性、高压大功率需求及复杂度提出了更高要求。功率器件的组装模块化和集成化能有效满足上述要求，有助于优化客户使用体验并保障产品配套性和稳定性，功率器件的组装模块化和集成化将成为行业技术发展的主流趋势。

同时，随着工艺技术的不断升级，更高性能、更小体积的功率器件为模块化和集成化创造了技术条件。

B.第三代半导体材料有望实现突破

当前功率器件产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能成为新型的半导体材料，属于新兴领域，具有极强的应用战略性和前瞻性。

目前美欧、日韩及中国台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料功率器件的量产。部分境内公司通过多年的技术和资本积累，依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域。

由于新型半导体材料属于新兴领域，国内厂商与国际巨头企业的技术差距不断缩小，因此有望抓住机遇、实现突破并抢占未来市场。

②功率器件行业的新产业发展情况

A.新能源汽车与充电桩

新能源汽车普遍采用高压电路，需要频繁进行电压变化，对电压转换电路需求大幅提升。IGBT、MOSFET等功率器件用于主驱动系统的逆变器、变压器、换流器等，其需求相应增大。除了动力系统，功率器件在新能源汽车上应用还涵盖了安全配置、电动门窗及后视镜、人车交互系统、仪表盘、车灯、娱乐系统及底盘系统等。汽车电子随着新能源汽车的发展呈越来越热的趋势，汽车内部电子系统数量的需求不断攀升，越来越多汽车制造商都在逐步加大电动汽车技术的研发投入。

新能源汽车充电桩为功率器件另一大增量，根据中国汽车充电基础设施促进联盟的统计，2016年至2021年，我国公共充电桩和专用充电桩的保有量由5.88万个增长至114.70万个，呈爆发式增长，带动了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市场需求。

B.工业和智能电网

工业领域是功率器件另一大需求市场。工业领域中，数控机床、牵引机等电机对功率器件需求较大，主要使用的功率器件是IGBT。随着“工业4.0”不断推进，工业的生产制造、仓储、物流等流程改造对电机需求不断扩大，工业功率器件需求增加。太阳能、风能等新能源发电过程中产生的电能，需要经过IGBT、MOSFET等功率器件的变换，之后才能入网传输。功率器件作为智能电网的核心部件，可以增强电网的灵活性与可靠性，使得智能电网实现电力高效节能的传输。未来新能源市场的快速发展和智能电网建设的推进将催生出对功率器件需求的稳步增长。

C.消费电子

MOSFET等功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，使得消费电子市场需求量进一步上升。

各类新产业发展推动市场需求持续旺盛

半导体行业虽然呈现周期性波动的特性，但整体增长趋势并未发生变化，每次技术变革持续带动行业增长。随着消费电子产品向智能化、轻薄化、便携化的方向发展，新的智能终端产品层出不穷，使得半导体产业的市场前景越来越广阔。

5G时代已经到来，通信行业对功率器件激增的需求导致市场对功率器件需求量大幅增长。以物联网为代表的新需求所带动的如云计算、人工智能、大数据等新应用的兴起，逐渐成为半导体行业新一代技术变革动力。

同时，新能源驱动的智能汽车已经成为万物互联的关键节点，随着智能汽车复杂程度的提高，智能汽车网联化、智能化以及电动化程度进一步提升，新能源汽车行业对汽车半导体元件的需求势必会大幅增长，因此汽车板块对半导体产业而言属于推动其长期发展的新引擎。

半导体下游应用领域的不断延展带动了市场需求的持续旺盛。同时，伴随着全球的半导体巨头不断加大资本性投资力度，半导体行业的景气度有望保持上升趋势，有利于半导体制造企业发展壮大。

全球半导体产业资源转移大趋势下的进口替代市场机遇

半导体行业目前呈现专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。从历史进程看，全球半导体行业已经完成两次的半导体产业转移：第一次是20世纪70年代从美国转向日本，第二次是20世纪80年代半导体产业转向韩国与中国台湾。

目前全球半导体行业正经历第三次巨变，众多境内外知名晶圆制造厂及封装测试厂纷纷在中国大陆进行产能扩充，并积极实现生产工艺的精进。全球半导体产业资源正处于向中国大陆和东南亚等地区转移的进程之中，产业转移是市场需求和资本驱动的综合结果。目前，中国拥有全球最大且增速最快的半导体消费市场。

巨大的下游市场配合积极的国家产业政策与活跃的社会资本，正在全方位、多角度地支持国内半导体行业发展。我国光伏、显示面板、LED等高新技术行业经过多年已达到领先水平，也大力拉动了上游的晶圆代工制造产业的国产化进程。随着半导体产业链相关技术的不断突破，加之我国在物联网、人工智能、新能源汽车等下游市场走在世界前列，有望在更多细分市场实现进口替代。

主要企业

英飞凌（InfineonTechnologiesAG）

英飞凌成立于1999年，是全球领先的半导体公司之一，在功率器件领域有较强的市场地位。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，专注于为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案，业务遍及全球，在美国加州圣克拉拉、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

安森美（ONSemiconductorCorporation）

安森美于1999年从摩托罗拉分拆出来，于次年在美国纳斯达克上市。安森美的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，主要应用于汽车电子、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军工及电源应用等领域。

德州仪器（TexasInstrumentsIncorporated）

德州仪器成立于1930年，总部位于美国德克萨斯州的达拉斯，是全球领先的模拟及数字半导体芯片设计制造公司，在信号链与电源管理领域均拥有强大的市场地位。主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。

意法半导体（STMicroelectronicsN.V.）

意法半导体成立于1987年，是全球最大的半导体公司之一，是纽约证券交易所、泛欧证券交易所和意大利米兰证券交易所上市公司，在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。意法半导体产品包括二极管、晶体管以及复杂的片上系统器件等，是各工业领域的主要供应商。意法半导体在模拟电路与功率器件领域都处于行业领先地位。

安世半导体（NexperiaB.V.）

安世半导体是半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。其产品组合包括二极管、双极型晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管（GaNFET）以及功率IC等。闻泰科技股份有限公司（600745.SH）于2019年取得对安世半导体的控制权。

华润微（688396.SH）

华润微成立于2003年，是华润集团半导体投资运营平台，拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。在分立器件及集成电路领域具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了较为先进的特色工艺和系列化的产品线。

士兰微（600460.SH）

士兰微成立于1997年，前身是杭州士兰电子有限公司，是一家专业从事集成电路以及半导体微电子相关产品的设计、生产与销售的高新技术企业，士兰微目前的主要产品是集成电路以及相关的应用系统和方案，主要包括半导体分立器件、MCU电路、电源管理电路、LED照明驱动电路、LED显示驱动/控制电路等产品。

华微电子（600360.SH）

华微电子成立于1999年，是集功率器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业，拥有多条功率器件生产线，产品应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。华微电子目前已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT功率器件产品体系。

华虹半导体（1347.HK）

华虹半导体由华虹NEC与上海宏力于2011年合并而成，于2014年在香港联交所上市（股票代码：1347.HK），在中国台湾、日本、北美和欧洲等地提供销售与技术支持。华虹半导体8英寸晶圆加工能力在中国名列前茅，12英寸晶圆厂建设进展迅速，目前公司主要专注于研发及制造专业应用的8英寸及12英寸晶圆半导体，尤其是嵌入式非易失性存储器及功率器件。华虹半导体的技术组合还包括仿真及混合信号、电源管理及MEMS等若干其他先进工艺技术。

先进半导体

先进半导体前身是1988年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，2019年初，上海积塔半导体完成对先进半导体的私有化。先进半导体为一家领先的专门模拟芯片代工厂，有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件的制造，在汽车电子、MEMS以及IGBT领域具有一定的优势。

审核编辑：刘清