图腾柱TCM之负电流幅度和延时时间

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描述

根据理论分析,不同的交流输入电压时,可以实现ZVS的最小负电流幅度是不同的。

当输入电压小于输出母线电压的一半(Uin <1/2Uo)时。由于电感电流上升和下降的斜率配合,即使没有负电流(Ineg=0),仍然可以实现主功率管的ZVS。如下图1所示。

MOSFET

图 1输入电压小于母线电压一半的情况下

当输入电压大于输出母线电压的一半(Uin >1/2Uo)时。由于电感电流上升和下降斜率的不同,实现ZVS的最小负电流是变化的。如下图2所示。

MOSFET

图 2 输入电压大于母线电压一半的情况下

根据Kolar的文献,其实现ZVS的最小负电流满足下图3所示的曲线。

MOSFET

图3 实现ZVS的最小负电流的曲线

但实际工程处理,需要简化此控制策略。目前的实际工程样机的调试过程中,是采用固定负电流幅度的方法,可以设置为-1.5A~-2.5A都可以较好的ZVS效果。

缩小电路的相应延迟时间

TCM控制的工作原理决定了其硬件电路的触发信号及DSP控制响应不能有太长的时间延迟,太长的响应延时会导致Tr过长,从而导致负电流过大问题,降低PFC工作效率及控制问题。因此,对于电感电流采样电路、电感电流ZCD电路及DSP响应时间都有很严格时间要求。

A 、为了满足CCM控制情况下的控制效果,分流器采集的电流信号经过一级高速运放放大,此运放选用了TI的45MHz高速运放OPA2211。考虑到目前电流采样通路采用的48Khz的低通滤波器,后续降成本可以优化该器件。

B 、过零信号的比较器也需要选用高速的,目前选用的是TI的两通道高速比较器TLV3502。其延迟时间为小于10ns。

C 、如高频管使用MOSFET,驱动IC选用低延迟时间的SI8233,其延迟时间也不超过100ns。而使用TI GAN器件LMG3410RWHR,其内部驱动延时也非常的低。

MOSFET

D、 降低DSP的响应延迟时间。DSP的响应速度在进行ZCD及Tr控制时非常关键.

审核编辑:汤梓红

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