汤谷智能首家在国产工艺线（n+1）完成HBM IP的设计实现

汤谷智能是目前首家在国产工艺线（n+1）上完成HBM IP的设计实现，成功流片并提供对外服务的企业。

高带宽存储器（HighBandwidth Memory，HBM）是一种将多层DRAM进行3D堆叠封装的新型内存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能计算芯片中，HBM芯粒通过硅转接板与计算芯粒实现2.5D封装互联，具有高带宽、高吞吐量、低延迟、低功耗、小型化等技术优势，可以满足AI大模型高访存的需求，成为当前高性能智能计算芯片最主要的技术路线，其中核心技术是计算芯粒与HBM芯粒互联接口技术。

全国产化的HBM芯粒连接涉及3部分重点环节：HBM颗粒的国产化、HBM IP设计和流片工艺国产化以及HBM IP与SOC IP基于Interposer的互联接口设计和流片工艺的国产化，3个环节环环相扣，需要国内顶尖存储、芯片设计、晶圆制造企业进行联合攻关。汤谷智能已经完成了第二阶段和第三阶段的攻关，即在国产工艺上实现HBM IP与SOC IP基于Interposer的互联接口设计和流片验证，希望能与更多合作伙伴一起为更多高通量计算芯片设计企业提供优质服务。

        审核编辑：彭菁