Transphorm公司的TOLL FET将GaN定位为适用于耗电型AI应用的最佳器件

Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合行业标准，也就是说SuperGaN TOLL FET可以用作任何电子模式TOLL解决方案的开箱即用型替代品。新器件还提供了Transphorm久经验证的高电压动态（开关）导通电阻可靠性，这在基于厂家的主要电子模式GaN产品中通常是缺乏的。

这三种表面安装型器件（surface mount device，SMD）支持在1至3千瓦的平均范围内运行的更高功率应用。这些电力系统通常出现在高性能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他各类工业市场，这些市场目前在全球的GaN TAM价值25亿美元。值得注意的是，FET是当今快速扩展的人工智能系统的最佳解决方案，这些系统依赖于需要高出传统CPU十到十五倍功率的GPU。

Transphorm的高功率GaN设备已供应给各个领域的主要客户，这些客户使用这些设备为其生产中的高性能系统供电，其中包括数据中心电源、高功率竞技PSU、UPSe和微转换器。TOLL设备也可以支持这些应用，而基于电动汽车的直流-直流转换器和车载充电器也可以支持，其中基础的SuperGaN芯片已经通过了汽车（AEC-Q101）认证。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型，为客户提供了最广泛的封装选择，以满足其独特的设计要求。与所有Transphorm产品一样，TOLL器件利用了常关d模式SuperGaN平台带来的固有性能和可靠性优势。有关SuperGaN和e模式GaN之间的详细竞争分析，请下载该公司最新的白皮书 《d模式GaN在Cascode配置中的基本优势》。该白皮书的结论与今年早些时候发布的一项正面比较一致。该比较显示，在商用280 W游戏笔记本电脑充电器中，72毫欧姆的SuperGaN FET的性能优于较大的50毫欧姆的电子模式设备。

SuperGaN器件凭借以下优势领先市场：

可靠性 < 0.03 FIT

闸门安全裕度 ± 20 V

抗噪性 4 V

电阻温度系数（TCR）比e模式低20%

采用硅基控制器/驱动器中现成的标准驱动器和保护电路实现驱动器灵活性

设备规格

坚固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关d模式平台将GaN HEMT与低压硅MOSFET配对，因此SuperGaN FET易于使用常用的现成栅极驱动器进行驱动。它们可以用于各种硬开关和软开关AC到DC、DC到DC和DC到AC拓扑，以提高功率密度，同时降低系统尺寸、重量和总体成本。

 

零件	尺寸 (mm)	RDS(on) (mΩ) typ	RDS(on) (mΩ) max	Vth (V) typ	Id (25°C) (A) max
TP65H035G4QS	10 x 12	35	41	4	46.5
TP65H050G4QS	10 x 12	50	60	4	34
TP65H070G4QS	10 x 12	72	85	4	29

 

可用性和支持资源

审核编辑 黄宇