高性能USB双C口控制器HUSB383A解决方案

HUSB383A是一款高性能、高集成度的USB双C口控制器。它集成了两个超低RDSON的N-MOSFET，外围只需少量元器件，一颗HUSB383A即可实现双C口充电解决方案。其单C口支持最高65W快充；在其双口工作时，共享5V电压，总电流可配置。其采用QFN-32L (4 mm x 4 mm)封装，支持多种主流协议并集成了所有必要的保护功能，适用于电源适配器及车充等应用。

HUSB383A集成了两个超低RDSON的N-MOSFET，可简化电路设计，在应用时仅需少量外围器件，就可完成设计，可减小整体方案的尺寸，节省电路板空间，有效降低BOM成本。

 

（HUSB383A典型应用电路图）

基于HUSB383A的双C快充电源设计实现了单颗芯片控制双口快充的需求，节省充电器次级元件数量。当单C口工作时，支持65 W以内快充；当双C口同时工作时，输出电压为5 V。HUSB383A还有轻载检测功能，自动识别端口是否有电缆。带给您物超所值的极致快充体验！

 

（HUSB383A demo实物图）

HUSB383A内置超低阻抗的N-MOS，能轻松应对大电流抽载应用，在大电流（比如3.25 A）工作状态下可以降低功率损耗。一方面，低阻抗有效地减少了放电电流在路径上的损耗；另一方面，更低的导通损耗，意味着更低的IC发热量，即使在面积狭小的PCB空间下，用户也能从容应对系统热设计。

下图可以看到HUSB383A PD Demo 在输入20V，输出65W条件下，常温环境老化10分钟的温升测试，温升在30℃左右。

 

（HUSB383A两个Type-C口温升测试图）

HUSB383A兼容多种主流快充协议：BC1.2 DCP、Apple 2.4A、QC2.0/3.0/QC3+、AFC、FCP、SCP、PE1.1+ 协议。提供更大的灵活性和互操作性，匹配您的充电需求。

集成了多重保护措施：过压保护 (OVP)、欠压保护 (UVP)、欠压锁定 (UVLO)、过流保护（OCP）、快速过流保护（FOCP) 、CC 或 DPDM 过压保护（端口OVP）、过热保护（OTP）和热关断（TSD）。为充电器安全运行保驾护航。

产品特性

符合 USB Type-C 2.1 和 USB PD3.1 标准

-支持 5 V、9 V、12 V、15 V 和 20 V 电压

-支持 2 个可编程 APDO

支持 BC1.2 DCP 和 HVDCP 协议

-BC 1.2 DCP 模式

-苹果 5V 2.4A 模式

-QC2.0/3.0/QC3.0+ A 级或 B 级

- AFC、FCP 和 LVSCP/HVSCP

- PE 1.1+ 

支持 2 端口应用 (2C)

低至 5 mA 的轻负载检测

集成内部 N-MOSFET

支持恒压环路（CV）和恒流环路（CC）控制

多种电缆补偿选项

集成 OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CC/DPDM OVP、TSD 和 OTP 保护

QFN-32L（4 毫米 x 4 毫米）封装

USB IO 引脚的 ±4 kV HBM ESD 额定值

关于慧能泰半导体

深圳慧能泰半导体科技有限公司是一家专注于智慧能源控制技术的公司，主要面向智能快充和数字能源领域，提供高性能数模混合芯片产品。公司总部设立在深圳前海，同时在上海、浙江杭州、美国加州设有研发中心。慧能泰的核心研发团队来自国内外顶尖半导体公司，拥有强大的研发创新能力。公司现已获多项授权专利，拥有独立自主知识产权，并于2020年被评为“高新技术企业”，2023年获评国家级专精特新“小巨人”企业。

目前，慧能泰已完成了围绕USB Type-C生态链的整体产品布局，开发并量产了多款产品：供电端的多系列PD Source协议芯片，受电端的高性能PD Sink(PD 诱骗芯片)、Type-C端口控制器（CC Logic），线缆端的USB eMarker（电子标签芯片）。成立以来，慧能泰连续推出多款业界领先的产品并广受市场欢迎。公司芯片出货量2亿颗，标杆性客户有联想、小米、三星、HP、贝尔金和努比亚等。同时，慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技术，借助自身的技术研发优势，面向ICT（通信服务器）、数据中心、光伏逆变器、储能等工业应用，研发数字电源控制芯片、高压驱动芯片、电源转换芯片和模块等产品。

慧能泰半导体肩负着“芯智慧 芯能源，共建绿色未来”的使命，立志成为业界领先的智慧能源控制技术供应商。

审核编辑：汤梓红