Power Integrations发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC

Power Integrations 近日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN开关技术。InnoSwitch3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。

Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一。这使得功率变换的效率可以达到93%，进而有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。在高达85W输出功率的情况下无需散热片。 

 

Power Integrations技术副总裁Radu Barsan表示：“Power Integrations不断将高压氮化镓技术的开发和商业应用推进至业界最高水平。这甚至淘汰了业界最好的高压硅MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于氮化镓的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于氮化镓的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的氮化镓技术，比如本次推出的1250V新品。我们致力于将氮化镓的效率优势扩展到更广泛的应用领域，包括目前使用碳化硅技术的应用领域。”

设计人员在使用新款InnoSwitch3-EP 1250V IC时，可以非常放心地明确其设计可以工作于1000V的峰值工作电压，因为1250V的绝对最大值可以满足80%的行业降额标准。这为工业应用提供了巨大的裕量，特别是对那些具有挑战性电网环境的应用尤其重要。因为在这种环境下，耐用性是抵御电网波动、浪涌以及其他电力扰动的重要防御手段。

        审核编辑：彭菁