甬矽电子“封装结构和封装方法”专利获授权

　　甬矽电子（宁波）股份有限公司“封装结构和封装方法”专利获授权，授权公告日为11月3日，授权公告号为CN116403918B。

　　专利摘要显示，本公开实施例提供了一种封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该封装结构包括转接板以及间隔贴装在转接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之间相互间隔设置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一侧形成第一间隙槽，第一器件和第二器件之间形成第二间隙槽，第一间隙槽和第二间隙槽相互连通，形成T形沟道；第一间隙槽靠近第二间隙槽处的宽度减小。这样可以使得底部填充的保护胶在第一间隙槽靠近第二间隙槽处的胶量减少，从而降低此处胶体应力，防止由于胶体应力过大而出现器件隐裂等现象。