汽车直流充电桩设计图

传统汽车行业的智能化、电动化趋势带来了充电桩产品的爆发式增长，但同时大功率化、双向充电以及更高更宽的输出电压范围也成了充电桩的技术挑战。

要解决这些技术难题，势必要从元器件的性能出发，于是第三代半导体尤其是碳化硅功率器件因其高耐压、高开关频率和高耐温等优点越来越受到行业关注。

下图为直流充电桩产品图

直流充电桩通常采用15-50kW的AC-DC和DC-DC电源模块，并根据充电位置和车辆类型进行扩展。根据Wolfspeed数据，25kW功率的充电桩模块大约需用到16-20个1200V SiC MOSFET单管。

我司推荐一款1200V 40mΩ高压低导通电阻的国产SiC MOSFET，最大漏源电流 56A(Tc = 25°C)，工作结温范围 -55°C～175°C，最大耗散功率不高于300W，反向电容13pF，已在多家头部客户批产，性能反馈优异。

除了SiC MOS，我司在充电桩中还可提供变压器、电感等磁性元件定制，电流传感器、MOS管、通用运放、热敏电阻等国产器件的选型匹配。

编辑：黄飞