简单认识NMOS管

老生常谈我们先结合手册认识下这个器件：我们以无锡新洁能的NCE2302为例：

1. 我们看到手册中标注Pb Free Product ：表示本电子元件无铅；
2. 下图2中为N沟道的原理图符号，N沟道MOS管有3个极，分别是G(栅极)，S(源极)，D(漏极)；注意箭头方向是从S指向G，同时内部有个体二极管，方向和箭头指向一致；
3. 下图3给我们标注了引脚序号对应的三个极，这个画封装焊盘和器件原理图符号就是根据这个来画的；同时在器件实物表面丝印有2302字样，便于我们区分；
4. 图4给我们展示了器件的封装为SOT23封装；
5. 下图5中给了信息当加载在GS两端电压越高，N沟道MOS管阻抗越低；

下面是在常温下测试的极限参数：

1. VDS = 20V，表示DS之间加载电压差最大不超过20V；
2. VGS = ±12V，表示在GS之间电压差最大不超过12V，最小不超过-12V；
3. ID = 4A，表示该MOS管漏极持续电流最大不超过4A；
4. IDM = 10A，表示漏极瞬间电流最大不超过10A；
5. PD = 1W，表示该MOS管额定功率是1W；这个和三极管一样都会受温度升高而降低，所以选型还是降额选取；
   

下面我们主要关注标注的3点内容：

1. VGS(th)表示N沟道MOS管的导通阈值，图中表示该MOS管的导通阈值在0.85V左右；这个是低阈值MOS管，好处是低电压即可驱动；
2. RDS(on)表示MOS管导通时，DS之间的阻抗大小；
3. Ciss为输入电容，Coss为输出电容，Crss为反向传输电容，这个怎么理解，我们举个例子：
   

我们看下图中三个极间电容：则有

输入电容Ciss = Cgd +Cgs；

输出电容Coss = Cds +Cgd；

Crss = Cgd ；Crss也叫米勒电容，米勒电容为啥会叫这个名字咧？我们知道MOS管有个比较有名的效应，即米勒效应，就是这个电容影响的结果；

即我们前端输入电压给Cgs充电时，当Cgs两端电压小于阈值电压，MOS管关闭；

当Cgs两端电压开始大于阈值电压时，ID电流从0迅速增大，同时当进入米勒平台效应时，VGS电压将保持不变，不再上升，此时VGS部分电流从米勒电容支路流失，待米勒效应过后，VGS继续上升到驱动电压；

为什么介绍这个米勒效应，因为米勒效应增加了导通时间，即额外增加了MOS管的损耗；这个我们注意一下

MOS管的损耗有3部分构成：

1. 导通损耗；
2. 开启损耗；
3. 关断损耗；

最后总结下选型要求：

1. 根据我们驱动目标要求和结构空间大小确认封装；
2. 根据目标整体电流，确定额定功率；
3. 根据电路中电源电压确认目标MOS管阈值大小；
4. 根据成本要求，确认最终品牌；

今天就到这里，谢谢大家阅读支持；