DMX1015E在Type-C PD充电器的应用原理

应用电路

DMZ(X)1015E是具有超高阈值电压的耗尽型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高阈值“UItraVt ^®️^ ”专利技术 )，利用该器件的亚阈值特性可以实现稳定的电压或电流输出。在Type-C PD充电器电路中，使用DMZ(X)1015E作为高压线性稳压器可以使PWM IC电源电路更加简化。

其中DMZ1015E的封装形式为SOT-23, DMX1015E的封装形式为 SOT-89。

DMX1015E在Type-C PD充电器的应用原理，其应用电路图如下：

图1.采用DMX1015E为Type-C PD充电器PWM IC供电

DMX1015E耐压高达100V，能承受更宽的输入电压。同时 DMX1015E采用SOT-89封装，有较高的耗散功率(能达到1W)，另外较之DMZ0615E有较高的钳位输出电压，适合于上述单绕组的VCC供电。

在充电器输出电压范围很宽的工作状态下(3.3-20V), 给PWM IC供电的附加绕组输出电压往往能达到80V以上，这样采用DMX1015E，以单绕组的形式给VCC供电，DMX1015E漏源间承受的电压较高，功耗较大，效率较低。

因此常采用双绕组的形式给VCC供电，以降低功耗，提高效率，如图2 所示：

图2.采用DMZ1015E以双绕组方式为Type-C PD充电器PWM IC供电

当充电器输出电压较低时(如10V以下时)，绕组2通过DMZ1015E给VCC供电。此时绕组2的输出电压较低，DMZ1015E的漏源电压并不高，功耗较低，因此采用功耗较小的SOT-23封装的DMZ1015E。

当充电器输出电压较高时(比如12-20V)，此时主要通过绕组1给VCC 供电，通过合理的绕组匝数比设计，绕组1的VCC供电电压能达到15V-24V，此时DMZ1015E只有很小的电流流过，甚至基本关断，因此功耗极低，可以忽略。

这样采用双绕组，通过DMZ1015E给VCC供电，具有较高的工作效率，同时由于采用了较小的SOT-23封装，也节省了BOM成本。

DMZ(X)1015E规格书