UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET的应用原理

ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。

该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。

UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：

01典型电路

UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：

图1. UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路

02应用原理

UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：

如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|V GS |电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|V GS(OFF) |相等。

而在图1所示电路中，V GS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS |≤|V GS(OFF) | (MAX) ，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS |也唯一确定。

因此使用ARK（方舟微）UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。

ARK（方舟微）

UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET

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ARK（方舟微）UltraVt ® 超高阈值耗尽型MOSFET可直接替代传统三极管供电方案：

图2.UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET替代传统供电方案

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单绕组的VCC供电电路示意图：

图3.UltraVt ® 超高阈值耗尽型MOSFET在单绕组供电方案中的应用

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双绕组VCC供电供电电路示意图：

图4.UltraVt ® 超高阈值耗尽型MOSFET在双绕组供电方案中的应用