什么是混合键合?为什么要使用混合键合?

制造/封装

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描述

 

  混合键合是为先进封装的创新未来铺平道路的关键。混合键合提供了一种解决方案,可实现更高的带宽以及更高的功率和信号完整性。由于业界希望通过扩展系统级互连来提高最终器件的性能,因此混合键合提供了最有前途的解决方案,能够集成多个互连间距小于 10 μm 的芯片。

  什么是混合键合?

  要了解混合键合,需要了解先进封装行业的简要历史。当电子封装行业发展到三维封装时,微凸块通过使用芯片上的小铜凸块作为晶圆级封装的一种形式,在芯片之间提供垂直互连。凸块的尺寸范围很广,从 40 μm 间距到最终缩小到 20 μm 或 10 μm 间距。然而,这就是问题出现的地方;缩小到 10μm 以上变得非常具有挑战性,工程师们正在转向一种新的解决方案,以继续缩小尺寸。混合键合通过完全避免使用凸块,为10 μm及以下的间距提供了解决方案,而是使用小型铜对铜连接连接封装中的芯片。它提供卓越的互连密度,支持类似 3D 的封装和高级内存立方体。

  混合键合是一种将介电键 (SiOx) 与嵌入金属 (Cu) 结合以形成互连的永久键。它在业界被称为直接键互连 (DBI)。混合键合扩展了熔融键合,在键合界面中嵌入了金属焊盘,从而允许晶圆的面对面连接。

晶圆

  为什么要使用混合键合?

  混合键合通过紧密间隔的铜焊盘垂直连接晶粒与晶圆 (D2W) 或晶圆与晶圆 (W2W)。虽然 W2W 混合键合在图像传感领域已经投入生产数年,但业界正在大力推动 D2W 混合键合的发展。这一发展将进一步实现异构集成,从而提供一种强大而灵活的手段来直接连接不同功能、尺寸和设计规则的芯片。

  与其他粘接技术相比,混合粘接具有许多优势,包括:

  允许高级 3D 设备堆叠

  最高 I/O

  可实现低于 10μm 的键合间距

  更高的内存密度

  扩展带宽

  增加功率

  提高速度效率

  无需颠簸,提高性能,而不会造成功率和信号损失

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  图片来源:Imed Jani。3D 高密度互连的测试和表征。微纳米技术/微电子学。格勒诺布尔阿尔卑斯大学,2019 年。英语。NNT : 2019GREAT094 。电话 02634259

  用于混合键合的无机介电材料与聚合物介电材料

  SiOx/金属杂化键合与聚合物/金属杂化键合之间的主要区别如下图所示。

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  化学机械抛光(CMP)是晶圆级封装的关键工艺之一。CMP是一种通过化学和机械作用的组合来去除材料的过程,以实现高度光滑和平坦的材料表面。通过CMP工艺获得平面成本高昂,这是使用SiOx作为介电材料的缺点之一。SiOx 要求通过 CMP 的平面表面粗糙度 (Ra) 小于 1 nm。无法获得平面可能是有害的,因为颗粒或铜盘会导致粘合层出现空隙。此外,SiOx 在键合过程中没有回流焊,这会导致金属周围出现气隙。

  下面是一个简化的过程,展示了永久粘接胶粘剂如何在混合粘接中使用。在案例 A 中,将介电聚合物施加在铜柱上,然后在粘合前平坦化。在案例 B 中,聚合物被图案化,铜柱在粘合之前通过双大马士革方法形成。可光图案化的介电材料的功能使这种流动成为可能。

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审核编辑:黄飞

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