比较器选型指南

我们以ST的LM339DT为例，来了解下比较器选型：

对于图中1：此LM339DT有3种封装类型，共14个引脚，我们选择适合自己的；

对于图中2：此芯片支持单电源和双电源供电，单电源以最低2V到最高36V，或者双电源最低正负1V到最高正负18V，即芯片GND接负电源，VCC接正电源；通常我们用单电源供电，比如5V，12V，15V，18V，24V；我们根据我们设计电路中供电选择合适的电压；

对于图中3：这个芯片的损耗电流在1.1mA左右；

对于图中4：此芯片输入偏置电流典型值为25nA，我们可以根据这个值来设计输入端的分压电阻，设计基准就是前级电路电流至少大于偏置电流1个数量级，保证前级分压稳定性；

对于图中5：此芯片的输入失调电流和输入电压，这2个参数可以解释芯片内部的对称性，失调参数越小，比较器越精准；

对于图中6：告诉我们此芯片在饱和导通输出低电平时，输出并不是0V，而是250mV;

对于图中7：我们知道这个芯片是集成了4路独立的精密比较器；

我们再看下图：下面是此芯片附带的芯片内部框图，我们如果想要更深入了解这个芯片的功能，我们可以研究内部设计电路；基本每个手册都有；

我们再看下极限参数：

1. 双电源供电最高正负18V，单电源供电最大36V；
2. 内部晶圆到外界环境的热阻，三个不同封装的都有，单位为℃/W，意思是每上升1W，芯片温度上升的度数；我们可以根据这个参数来估算在实际电路中芯片的内部结温；
3. 内部晶圆到外壳的热阻，我们可以用热电偶测量芯片表面实际温度，再通过在电路中实际消耗功率来估算芯片内部结温；
4. 芯片的储存温度范围，在存储时我们要根据各个芯片的储存要求来控制仓库内的温湿度；
5. 芯片的内部结温最高不超过150℃；
6. 此芯片在焊接时，要求260℃，焊接时间不超过10s；
7. 此芯片的ESD静电等级；

我们再看最后一个比较重要的就是响应时间：

就是我们在输入电压时，和参考电压比较后，电压从0上升到高的时间；或者从高到0的时间，这个我们需要关注下，在低频中不会影响我们的输出结果，但是在高频中我们就要考虑输出波形的完整度问题；

今天就到这里，谢谢阅读支持；