11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,主要用于各类辅助电源,在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要,现已通过多家知名客户评估测试,逐步批量交付应用。
产品特性
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代碳化硅(SiC) MOSFET中1700V平台的产品,驱动电压(Vgs)为15~18V,室温下导通电流为6.3A。该产品采用车规级TO263-7贴片封装,对比插件封装,体积更小,阻抗更低,安装更简便,且有开尔文栅极引脚。因此该产品特别适合高电压、小电流、低损耗的应用场景。
特点概括:
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
目前,瞻芯电子开发的1700V碳化硅(SiC) MOSFET系列产品,包括了3种导通电阻:1Ω、10Ω、50Ω,同时有2种封装形态:TO263-7与TO247-3,还有无封装的裸芯片产品,如下表:
典型应用
辅助电源
开关电源
智能电表
参考设计:1000V 200W反激电源
凭借1700V碳化硅(SiC) MOSFET耐高压的能力,瞻芯电子采用IV2Q171R0D7Z开发了一款高达1000V宽幅电压输入的反激电源方案,最大功率200W,效率高达88.5%,待机损耗仅0.3W。
该反激电源采用小功率的 DC-DC 的拓扑,主要用于300-1000V高压直流输入,变换为24V低压输出。本方案对比采用硅(Si)器件的传统辅源,损耗显著降低,在输出功率100W以下或短时间工作条件下,无须风扇冷却。
该方案的实物图如下:
核心元器件:
IV2Q171R0D7Z:1700V 1Ω SiC MOSFET in TO263-7
IVCR1801:单通道 高速栅极驱动芯片,拉/灌电流为4A/8A
审核编辑:刘清
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