四种半导体器件基本结构

四种半导体器件基本结构

按施敏教授的观点，半导体器件有四个最基本的结构单元：金半接触、PN结、异质结、MOS结构。所有的半导体器件都可以看作是这四种基本结构的组合，比如BJT由两个背靠背的PN结构成，MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。

金半接触

由金属和半导体接触而成，根据接触势垒不同，可以分为整流特性的肖特基接触和非整流特性的欧姆接触。

PN结

由P型半导体和N型半导体接触而成，具有单向导电的整流特性。

异质结

由两种不同的半导体接触而成，根据其禁带宽度和掺杂浓度的不同组合，组合结构比较多，此处暂不赘述。两种半导体的晶格常数必须尽可能匹配，否则缺陷会比较严重。

MOS结构

由金属（也可以由导电的重掺杂半导体替代）-氧化物（也可由其他绝缘体替代）-半导体界面组成，在金属和半导体两端加上偏压，可以改变半导体中的电荷分布从而影响半导体一侧的导电性能。