金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势

基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。

金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA_(T)-R3G系列产品，同时为结合充电桩市场应用需求，打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电源产品。

产品优势                

优势特点

01高可靠隔离电压：5000VAC（加强绝缘）

R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台，在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升，隔离电压高达5000VAC（R1产品/竞品为3750VAC），满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。

02满足1700VDC长期绝缘要求

作为现阶段主流的半导体器件，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3代驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（持续放电）满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT器件。

03元器件100%国产化，多项性能指标提升

R3代驱动电源相较于R1代产品，在整体性能上得到了很大提升。

效率提升：80%→86%

纹波下降：75mVpp→50mVpp

强带载能力：220uF→2200uF

静电性能提升：±6kV→±8kV

优势对比

表1 QA-R3G系列性能对比表

产品特点                

QA-R3G系列

超小型SIP封装

CMTI>200kV/μs

局部放电1700V

隔离电压5000VAC（加强绝缘）

最大容性负载2200μF

超小隔离电容3.5pF(typ.)

工作温度范围：-40℃ to +105℃

可持续短路保护

QA_T-R3G系列

CMTI>200kV/μs

局部放电1700V

隔离电压5000VAC（加强绝缘）

最大容性负载2200μF

超小隔离电容2.5pF(typ.)

工作温度范围：-40℃ to +105℃

SMD封装

效率高达86%

可持续短路保护

产品应用                

作为IGBT/SiC MOSFET的专业驱动电源，该系列产品在应用上基本覆盖相对应的行业，包含充电桩、光伏等领域。

QA_(T)-R3G系列应用电路图

产品选型                

表2 QA-R3G系列选型表

表3 QA_T-R3G系列选型表

审核编辑：汤梓红