面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发

高性能陶瓷基板具有优异的机械、热学和电学性能，在电子和半导体领域有着广泛的应用，可以支撑和固定半导体材料的基础材料。其低介电常数、高机械强度和热稳定性能优异，能够提高器件的工作性能和可靠性。在半导体领域中，它被用于制造高端功率器件、射频器件、微波器件等。

 

近期，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化功率器件及其封装技术分会“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发“的主题报告，分享了高性能陶瓷基板的研究进展。

高性能陶瓷基板应用涉及LED封装、激光器件（LD）散热器、第三代电力电子设备等领域。当前高集成芯片卡脖子问题主要是热管理，高性能陶瓷基板的研究方向涉及机械性能、导热性能、电气性能等，热导率提升仍然是关注的焦点，热导率提升导致抗弯强度大幅下降。

报告分享了制程优化、力学性能匀化、AlN基板表面拓扑优化改进、面向功率器件的超高韧性AlN基板的研究进展，面向功率器件的超高韧性AlN基板的最新进展，以及博睿DPC制程技术优化。其中，对于制程优化研究方面 研磨过程是导致基材的机械性能,无研磨工艺需要精确的尺寸控制,浆料配方、球磨工艺、铸造工艺等，需要协同优化。

报告指出，高性能AlN陶瓷衬底的国产化将有效推动中国功率半导体的发展；AlN衬底针对不同应用场景的定向开发促进了下游封装技术的发展；将高性能AlN陶瓷基板与金属化技术相结合，有助于开发高功率密度器件的封装要求。

审核编辑：刘清