隔离式栅极驱动器的演变(IGBT/SiC/GaN)

模拟技术

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描述

报告作者:DAVID SEYMOUR

报告内容包含:

效率和功率密度推动变革

基本的 MOSFET 栅极驱动器功能

驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)

驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)

驱动器进化以支持 GaN(氮化镓)

未来的驱动器的改进

MOSFET

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审核编辑:黄飞

 

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