模拟技术
报告作者:DAVID SEYMOUR
报告内容包含:
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)
驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
驱动器进化以支持 GaN(氮化镓)
未来的驱动器的改进
审核编辑:黄飞
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