隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
模拟技术
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描述
报告作者：DAVID SEYMOUR
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
驱动器进化以支持 GaN（氮化镓）
未来的驱动器的改进
审核编辑：黄飞
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