隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）

QuTG_CloudBrain 2023-12-18 193

模拟技术

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描述

报告作者：DAVID SEYMOUR

报告内容包含：

效率和功率密度推动变革

基本的 MOSFET 栅极驱动器功能

驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）

驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）

驱动器进化以支持 GaN（氮化镓）

未来的驱动器的改进

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