碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术

磨削和研磨等磨料处理是生产半导体芯片的必要方式，然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，抛光的一致性、均匀性和表面粗糙度对生产芯片来说是十分重要的。

近日，第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛于厦门召开。期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，北京国瑞升科技集团股份有限公司 高级工程师 苑亚斐 做了“碳化硅衬底粗研磨和精研磨工艺及耗材技术”的主题报告并就公司研发的碳化硅衬底研磨抛光新工艺、新产品进行探讨交流。

第三代半导体材料，以碳化硅和氮化镓为代表，针对这两种材料的研磨和抛光，国瑞升可提供全套的产品和整体的解决方案，可向衬底客户提供化合物半导体粗磨液、精磨液、粗抛液和CMP抛光液；可向后道外延芯片背面减薄客户提供减薄耗材产品，以及匹配的粗抛垫和精抛垫。 

报告指出，新工艺优化路线主要是提高效率、减少工序、保证表面效果。碳化硅衬底粗抛和精抛涉有的主要产品有：粗抛涉及氧化铝抛光液、金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液，精抛涉及双组份抛光液、高效抛光液。SiC研磨抛光用相关耗材，涉及双面研磨用悬浮液，金刚石研磨液(单晶、类多晶、多晶），氧化铝粗抛液(酸性、碱性），双面研磨用悬浮剂，双组份精抛液，高效精抛液，CMP抛光液，固态蜡等。  

审核编辑：刘清