MOSFET,全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是一种电压控制的开关器件。它的工作原理是,通过在栅极施加电压,控制漏极和源极之间的电流。当栅极施加的电压为正时,会形成一个电场,使得漏极和源极之间形成导电通路,从而形成电流。当栅极施加的电压为负时,电场会被抑制,导致漏极和源极之间的电流无法流通。因此,MOSFET在电路中起到开关的作用,可以控制电路的通断。
MOSFET作为开关具有许多优点,例如高开关速度、低驱动电压、低开关损耗等。这些优点使得MOSFET在电源变换器中有广泛的应用,如直流-直流变换器、交流-直流变换器和交流-交流变换器等。在这些电源变换器中,MOSFET作为开关主要用于调整输出电压和电流。通过控制MOSFET的开关状态,可以实现对输出电压和电流的精确调节。
MOSFET开关的操作基于某些主要模式,主要是截止区和饱和区。
MOSFET作为开路:当栅源电压VGS小于阈值电压VT时,也就是VGS < VT,MOSFET处于截止区。由于VGS < VT,不会在通道中形成导电通路,导致无法通过MOSFET进行电流。此时,MOSFET像一个开路一样工作,逻辑上处于“OFF”状态。
MOSFET作为短路: 当我们增加栅源电压VGS,使其大于阈值电压VT,此时VGS > VT,那么MOSFET开始导通,并随着湍流电压VDS的增加,漏电流ID线性增加,直到达到饱和点,形成了欧姆区。在该区间之后,即便继续提升漏源电压VDS,漏电流ID也保持恒定,不再发生变化。这个操作区间被称为饱和区,此时MOSFET表现得就像一个短路(关闭的开关)一样,逻辑上处于“ON”状态。
对于开关应用来说,MOSFET的设计很大程度上依赖于驱动电路的部署。驱动电路,例如微控制单元(MCU),为MOSFET提供了必要的栅极驱动电压,一般情况下,这个电压会更改MOSFET的工作状态,使其在开路和短路状态间进行快速切换,从而实现开关功能。
MOSFET作为开关的优势主要包括以下几个方面:
综上所述,MOSFET作为开关的优势包括高开关速度、低驱动电压、低导通电阻、易于集成和可靠性高等。这些优点使得MOSFET在电子设备和电路中得到了广泛应用。
N沟道MOSFET
如上,N沟道MOSFET开关电路图。
当按下按钮时,LED亮起。1kΩ 电阻充当下拉电阻,将栅极电压保持在与电池负极端子相同的电位,直到按下按钮。这会在栅极施加正电压,打开漏极和源极引脚之间的通道,并允许电流流过 LED。
P沟道MOSFET
如上,P沟道MOSFET开关电路图。
这个MOSFET相当于是一个电控的开关,开关特性完全类似于力控开关,力控开关可以实现逻辑门的运算还有功能,我们用电控开关一样可以实现功能
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